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JANTX1N5419US

更新时间： 2024-09-25 14:36:55
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON 快速恢复能力电源快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
5页 374K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 500V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, D-5, MELF-2

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JANTX1N5419US 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active零件包装代码：MELF
包装说明：HERMETIC SEALED, D-5, MELF-2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.22
Is Samacsys：N其他特性：METALLURGICALLY BONDED
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.5 V
JESD-30 代码：E-LELF-R2JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：80 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ELLIPTICAL封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500最大重复峰值反向电压：500 V
最大反向电流：1 µA最大反向恢复时间：0.25 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WRAP AROUND
端子位置：END处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

JANTX1N5419US 数据手册

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1N5415/US thru 1N5420/US  
3A FAST RECOVERY  
RECTIFIERS  
SENSITRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL DATA  
AV AI L AB L E AS  
1N, JAN, JANTX, JANTXV  
JANS  
DATA SHEET 125, REV D.1  
JAN EQUIVALENT*  
SJ*, SX*, SV*, SS*  
Fast Recovery Rectifiers  
Qualified per MIL-PRF-19500/411  
DESCRIPTION:  
This voidless hermetically sealed fast recovery rectifier diode series is military qualified per MIL-  
PRF-19500/411 and is targeted for space, commerical and military aircraft, military vehicles,  
shipboard markets and all high reliability applications.  
FEATURES / BENEFITS:  
Hermetic, non-cavity glass package  
Category I Metallurgically bonded  
All parts are 100% hot solder dipped  
JAN/ JANTX/ JANTXV available per MIL-PRF-19500/411  
“JANS Plus” removes atypical/out of family VF  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
MAX. RATINGS / ELECTRICAL CHARACTERISTICS All ratings are at TA = 25oC unless otherwise specified.  
RATING  
CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
Peak Inverse Voltage (PIV)  
1N5415,US  
-
-
-
Vdc  
50  
1N5416,US  
1N5417,US  
1N5418,US  
1N5419,US  
100  
200  
400  
500  
600  
1N5420,US  
Average DC Output Current (Io)  
TA = +55oC  
-
-
-
-
3.0  
80  
Amps  
Peak Single Cycle Surge  
tp = 8.3 ms Single Half  
Cycle Sine Wave,  
Superimposed On  
Rated Load  
Amps(pk)  
Current (Ifsm  
)
Operating and Storage Temp.  
(Top & Tstg)  
-
-65  
-
-
-
+175  
C  
Maximum Forward Voltage (Vf)  
1N5415/US, 1N5416,US  
1N5417,US, 1N5418,US  
1N5419/US, 1N5420,US  
Volts  
If = 9.0A (300 sec  
pulse, duty cycle < 2%)  
1.6  
1.7  
1.8  
Amps  
Maximum Instantaneous  
Reverse Current At Rated (PIV)  
-
-
1.0  
20  
TA = 25C  
TA = 100C  
©2013 Sensitron Semiconductor 221 West Industry Court Deer Park, NY 11729-4681  
Phone (631) 586 7600 Fax (631) 242 9798 www.sensitron.com sales@sensitron.com  
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与JANTX1N5419US相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTX1N541X MICROSEMI

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 		RECTIFIERS
JANTX1N5420 VMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 600V V(RRM), Silicon,
JANTX1N5420 MICROSEMI

获取价格

 		RECTIFIERS
JANTX1N5420E3 MICROSEMI

获取价格

 		VOIDLESS HERMETICALLY SEALED FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS
JANTX1N5420US MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, GLASS PACKAGE-2
JANTX1N5441B AEROFLEX

获取价格

 		Variable Capacitance Diode, 6.8pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7
JANTX1N5441C AEROFLEX

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 		6.8pF, 30V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7
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 		8.2pF, 30V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7
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 		10pF, 30V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7

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