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JANTX1N5420US

更新时间: 2024-02-15 01:55:26
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 整流二极管快速恢复能力电源快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 80K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, GLASS PACKAGE-2

JANTX1N5420US 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:MELF
包装说明:E-LELF-R2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.45
其他特性:METALLURGICALLY BONDED应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.5 VJESD-30 代码:E-LELF-R2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:80 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:3 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ELLIPTICAL
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Qualified参考标准:MIL-19500
最大重复峰值反向电压:600 V最大反向电流:1 µA
最大反向恢复时间:0.4 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED

JANTX1N5420US 数据手册

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JANTX1N5420US 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTXV1N5420US MICROSEMI

完全替代

DIODE 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, GLASS PACKAGE-2, Rectifier Diode
1N5420US MICROSEMI

完全替代

VOIDLESS-HERMETICALLY SEALED SURFACE MOUNT FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS

与JANTX1N5420US相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTX1N5441B AEROFLEX

获取价格

Variable Capacitance Diode, 6.8pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7
JANTX1N5441C AEROFLEX

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6.8pF, 30V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7
JANTX1N5442B AEROFLEX

获取价格

8.2pF, 30V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7
JANTX1N5442C AEROFLEX

获取价格

8.2pF, 30V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7
JANTX1N5443B AEROFLEX

获取价格

10pF, 30V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7
JANTX1N5443C AEROFLEX

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Variable Capacitance Diode, 10pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7
JANTX1N5444B AEROFLEX

获取价格

12pF, 30V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7
JANTX1N5444C AEROFLEX

获取价格

12pF, 30V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7
JANTX1N5445B AEROFLEX

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15pF, 30V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7
JANTX1N5446B AEROFLEX

获取价格

Variable Capacitance Diode, 18pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7