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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | O-LELF-R2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.27 |
| Is Samacsys： | N | 应用： | FAST RECOVERY POWER |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LELF-R2 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 80 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 3 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 235 | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/411L | 最大重复峰值反向电压： | 400 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.15 µs | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WRAP AROUND |
| 端子位置： | END | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV1N5418US | MICROSEMI |
完全替代  |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 |
|
| JAN1N5418US | MICROSEMI |
完全替代 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 |
|
| 1N5418US | MICROSEMI |
完全替代 |
VOIDLESS-HERMETICALLY SEALED SURFACE MOUNT FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTX1N5419 | MICROSEMI |
获取价格 |
RECTIFIERS |
|
| JANTX1N5419 | VMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 500V V(RRM), Silicon, |
|
| JANTX1N5419E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
VOIDLESS HERMETICALLY SEALED FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
|
| JANTX1N5419US | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 500V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, D-5, MELF- |
|
| JANTX1N541X | MICROSEMI |
获取价格 |
RECTIFIERS |
|
| JANTX1N5420 | VMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 600V V(RRM), Silicon, |
|
| JANTX1N5420 | MICROSEMI |
获取价格 |
RECTIFIERS |
|
| JANTX1N5420E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
VOIDLESS HERMETICALLY SEALED FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
|
| JANTX1N5420US | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 |
|
| JANTX1N5441B | AEROFLEX |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, 6.8pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7 |
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