Datasheet > JANKCAR2N3810

JANKCAR2N3810

更新时间： 2024-01-11 11:25:54

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	111K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, TO-78,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

JANKCAR2N3810 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W6	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.87	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	125	JEDEC-95代码：	TO-78
JESD-30 代码：	O-MBCY-W6	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	200 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	参考标准：	MIL-19500; RH - 100K Rad(Si)
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

JANKCAR2N3810 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

PNP SILICON DUAL TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500 /336

DEVICES

LEVELS

2N3810

2N3811

JAN

2N3810L

2N3810U

2N3811L

2N3811U

JANTX

JANTV

JANS

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Collector-Emitter Voltage

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Vdc

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Vdc

5.0

Vdc

mAdc

One

Both

Section ¹

Sections ²

P_T

200

350

°C

Total Power Dissipation

@ T_A= +25°C

Operating & Storage Junction Temperature

Range

T_J, T_stg

-65 to +200

TO-78

Note:

1. Derate linearly 1.143mW/°C for T_A> +25°C (one section)

2. Derate linearly 2.00mW/°C for T_A> +25°C (both sections)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

OFF CHARACTERTICS

Symbol

Min.

Max.

Unit

Collector-Emitter Breakdown Voltage

V_(BR)CEO

Vdc

I_C= 100μAdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 50Vdc

ηAdc

μAdc

I_CBO

V_CB= 60Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 4.0Vdc

V_EB= 5.0Vdc

ηAdc

μAdc

I_EBO

T4-LDS-0118 Rev. 1 (091095)

Page 1 of 3

12 3

中文翻译

下载PDF

与JANKCAR2N3810相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANKCAR2N7391	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
JANKCAR2N7425	INFINEON	获取价格	Transistor
JANKCB1N6331	SENSITRON	获取价格	Zener Diode,
JANKCB1N6335	SENSITRON	获取价格	Zener Diode,
JANKCB1N6341	SENSITRON	获取价格	Zener Diode,
JANKCB1N6344	SENSITRON	获取价格	Zener Diode,
JANKCB1N6350	SENSITRON	获取价格	Zener Diode,
JANKCB2N2484	STMICROELECTRONICS	获取价格	SEMICONDUCTOR DEVICE, TRANSISTOR, NPN, SILICON, LOW-POWER TYPES 2N2484, 2N2484UA, 2N2484UB
JANKCB2N2905	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205A
JANKCB2N2906A	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, DIE-3