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JAN1N5313UR-1

更新时间： 2024-11-14 20:21:43
品牌 Logo 应用领域
CDI-DIODE 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 27K
描述
Current Regulator Diode, 4.3mA I(S), 2.75V V(L), Silicon, DO-213AB, HERMETIC SEALED PACKAGE-2

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JAN1N5313UR-1 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：HERMETIC SEALED PACKAGE-2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.71
Is Samacsys：N其他特性：METALLURGICALLY BONDED
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：CURRENT REGULATOR DIODE
JEDEC-95代码：DO-213ABJESD-30 代码：O-XELF-R2
膝阻抗最大值：14000 Ω最大限制电压：2.75 V
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM最大功率耗散：0.5 W
认证状态：Not Qualified参考标准：MIL-19500/463G
标称调节电流 (Ireg)：4.3 mA最大重复峰值反向电压：100 V
表面贴装：YES技术：FIELD EFFECT
端子形式：WRAP AROUND端子位置：END
Base Number Matches：1

JAN1N5313UR-1 数据手册

 浏览型号JAN1N5313UR-1的Datasheet PDF文件第2页 
•
1N5283UR-1 THRU 1N5314UR-1 AVAILABLE IN JAN  
, JANTX, JANTXV AND JANS  
1N5283UR-1 thru 1N5314UR-1  
and  
PER MIL-PRF-19500/463  
• CURRENT REGULATOR DIODES  
• LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT  
• METALLURGICALLY BONDED  
CDLL5283 thru CDLL5314  
• DOUBLE PLUG CONSTRUCTION  
MAXIMUM RATINGS  
Operating Temperature: -65°C to +175°C  
Storage Temperature: -65°C to +175°C  
DC Power Dissipation: 500mW @ +75°C @ T  
= +125°C  
EC  
= +125°C  
Power Derating: 10 mW / °C above T  
Peak Operating Voltage: 100 Volts  
EC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise specified  
MINIMUM  
DYNAMIC  
IMPEDANCE  
MINIMUM  
KNEE  
IMPEDANCE  
@V = 6.0 V  
K
MAXIMUM  
LIMITING  
VOLTAGE  
CDI  
TYPE  
NUMBER  
REGULATOR CURRENT  
l p (mA) @ V = 25V  
S
@V = 25V  
S
MILLIMETERS  
INCHES  
Z
(MΩ)  
Z
(MΩ)  
@ l = 0.8 lp (min)  
L
S
K
DIM MIN MAX MIN MAX  
NOM  
MIN  
MAX  
(Note 1)  
(Note 2)  
V
(VOLTS)  
L
D
F
2.39  
0.41  
4.80  
2.66 .094 .105  
0.55 .016 .022  
5.20 .189 .205  
CDLL5283  
CDLL5284  
CDLL5285  
CDLL5286  
CDLL5287  
0.22  
0.24  
0.27  
0.30  
0.33  
0.198  
0.216  
0.243  
0.270  
0.297  
0.242  
0.264  
0.297  
0.330  
0.363  
25.0  
19.0  
14.0  
9.0  
2.75  
2.35  
1.95  
1.60  
1.35  
1.00  
1.00  
1.00  
1.00  
1.00  
G
G1  
S
4.11 REF.  
0.03 MIN.  
.159 REF.  
.001 MIN.  
6.6  
CDLL5288  
CDLL5289  
CDLL5290  
CDLL5291  
CDLL5292  
0.39  
0.43  
0.47  
0.56  
0.62  
0.351  
0.387  
0.423  
0.504  
0.558  
0.429  
0.473  
0.517  
0.616  
0.682  
4.10  
3.30  
2.70  
1.90  
1.55  
1.00  
1.05  
1.05  
1.05  
1.10  
1.13  
0.870  
0.750  
0.560  
0.470  
FIGURE 1  
CDLL5293  
CDLL5294  
CDLL5295  
CDLL5296  
CDLL5297  
0.68  
0.75  
0.82  
0.91  
1.00  
0.612  
0.675  
0.738  
0.819  
0.900  
0.748  
0.825  
0.902  
1.001  
1.100  
1.35  
1.15  
1.00  
0.880  
0.800  
0.400  
0.335  
0.290  
0.240  
0.205  
1.15  
1.20  
1.25  
1.29  
1.35  
DESIGN DATA  
CASE: DO-213AB, Hermetically sealed  
glass case. (MELF, LL41)  
CDLL5298  
CDLL5299  
CDLL5300  
CDLL5301  
CDLL5302  
1.10  
1.20  
1.30  
1.40  
1.50  
0.990  
1.08  
1.17  
1.26  
1.35  
1.210  
1.32  
1.43  
1.54  
1.65  
0.700  
0.640  
0.580  
0.540  
0.510  
0.180  
0.155  
0.135  
0.115  
0.105  
1.40  
1.45  
1.50  
1.55  
1.60  
LEAD FINISH: Tin / Lead  
CDLL5303  
CDLL5304  
CDLL5305  
CDLL5306  
CDLL5307  
1.60  
1.80  
2.00  
2.20  
2.40  
1.44  
1.62  
1.80  
1.98  
2.16  
1.76  
1.98  
2.20  
2.42  
2.64  
0.475  
0.420  
0.395  
0.370  
0.345  
0.092  
0.074  
0.061  
0.052  
0.044  
1.65  
1.75  
1.85  
1.95  
2.00  
THERMAL RESISTANCE: (R  
50 ˚C/W maximum at L = 0 inch  
):  
OJEC  
THERMAL IMPEDANCE: (Z  
˚C/W maximum  
): 25  
CDLL5308  
CDLL5309  
CDLL5310  
CDLL5311  
CDLL5312  
2.70  
3.00  
3.30  
3.60  
3.90  
2.43  
2.70  
2.97  
3.24  
3.51  
2.97  
3.30  
3.63  
3.96  
4.29  
0.320  
0.300  
0.280  
0.265  
0.255  
0.035  
0.029  
0.024  
0.020  
0.017  
2.15  
2.25  
2.35  
2.50  
2.60  
OJX  
POLARITY: Diode to be operated with  
CDLL5313  
CDLL5314  
4.30  
4.70  
3.87  
4.23  
4.73  
5.17  
0.245  
0.235  
0.014  
0.012  
2.75  
2.90  
the banded (cathode) end negative.  
MOUNTING SURFACE SELECTION:  
The Axial Coefficient of Expansion  
(COE) Of this Device is Approximately  
+6PPM/°C. The COE of the Mounting  
Surface System Should Be Selected To  
Provide A Suitable Match With This  
Device.  
NOTE 1  
NOTE 2  
Z
Z
is derived by superimposing A 90Hz RMS signal equal to 10% of V on V  
S
S
S
K
is derived by superimposing A 90Hz RMS signal equal to 10% of V on V  
K
K
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176  
PHONE (781) 665-1071  
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com  
FAX (781) 665-7379  
E-mail: mail@cdi-diodes.com  
12

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与JAN1N5313UR-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN1N5314 MICROSEMI

获取价格

 		Current Regulator Diode, 4.7mA I(S), 2.9V V(L), Silicon, DO-204AA,
JAN1N5314-1 MICROSEMI

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 		Current Regulator Diode, 4.7mA I(S), 2.9V V(L), Silicon, DO-35, DO-35, 2 PIN
JAN1N5314-1E3 MICROSEMI

获取价格

 		DIODE CURRENT REGULATOR DIODE, Current Regulator Diode
JAN1N5314UR MICROSEMI

获取价格

 		Current Regulator Diode, 4.7mA I(S), 2.9V V(L), Silicon, DO-213AB, HERMETIC SEALED PACKAGE
JAN1N5314UR-1 MICROSEMI

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 		CURRENT REGULATOR DIODES
JAN1N5314UR-1 CDI-DIODE

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 		Current Regulator Diode, 4.7mA I(S), 2.9V V(L), Silicon, DO-213AB, HERMETIC SEALED PACKAGE
JAN1N5333 MICROSEMI

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JAN1N5333A MICROSEMI

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JAN1N5333B MICROSEMI

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