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JAN1N4150-1X

更新时间: 2024-11-16 14:42:55
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
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3页 121K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 75V V(RRM), Silicon,

JAN1N4150-1X 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.5
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:75 V
最大反向恢复时间:0.004 µs表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

JAN1N4150-1X 数据手册

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