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JAN1N4153UR-1

更新时间： 2024-11-16 14:51:43

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		二极管
页数	文件大小	规格书
1页	63K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS, LL34, MELF-2

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JAN1N4153UR-1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-213AA
包装说明：	HERMETIC SEALED, GLASS, LL34, MELF-2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.32
其他特性：	METALLURGICALLY BONDED	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-213AA
JESD-30 代码：	O-LELF-R2	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	0.15 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/337
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WRAP AROUND
端子位置：	END	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

JAN1N4153UR-1 数据手册

1N4153,

Silicon Switching Diode

DO-35 Glass Package

1N4153-1

Applications

Used in general purpose applications,where a low current controlled forward

characteristic and fast switching speed are important.

DO-35 Glass Package

Features

Lead Dia.

0.018-0.022"

0.458-0.558 mm

Six sigma quality

Metallurgically bonded

BKC's Sigma Bond™ plating

for problem free solderability

LL-34/35 MELF SMD available

Full approval to Mil-S-19500/337

Available up to JANTXV-1 levels

"S" level screening available to SCDs

Dia.

0.06-0.09"

1.0"

25.4 mm

(Min.)

Length

0.120-.200"

3.05-5.08- mm

1.53-2.28 mm

Maximum Ratings

Symbol

Value

75 (Min.)

150

Unit

Peak Inverse Voltage

PIV

I_Avg

Volts

AverageRectifiedCurrent

mAmps

Amp

Continuous Forward Current

I_Fdc

300

Peak Surge Current (t_peak= 1 Sec.)

BKC Power Dissipation T_L= 50 ^oC, L = 3/8" from body

I_peak

P_tot

0.25

500

mWatts

Operating and Storage Temperature Range

T_{Op & St}

-65 to +200

^oC

Electrical Characteristics @ 25^oC*

Symbol

Minimum

0.49

Maximum

0.55

Unit

Volts

µA

ForwardVoltage

@ I_F= 100 µA V_F

V_F

I_R

@ I_F= 250 µA V_F

@ I_F= 1.0 mA V_F

@ I_F= 2.0 mAV_F

@ I_F= 10 mA

0.53

0.59

0.67

0.62

0.70

0.81

@ I_F= 20 mA

0.74

0.88

0.05(50 @ 150 ^oC)

Reverse Leakage Current @ V_R= 50 V

Breakdown Voltage @ I_R= 5.0 µA

Capacitance @ V_R= 0 V, f = 1mHz

Reverse Recovery Time (note 1)

Reverse Recovery Time (note 2)

PIV

C_T

t_rr

Volts

2.0

4.0

2.0

nSecs

nSec

t_rr

Note 1: Per Method 4031-A with I_F= I_R= 10 mA, R_L= 100 Ohms, C = 3 Pf. *Unless Otherwise Specified

Note2: Per Method 4031-A with I_F= I_R= 10 mA, Rr = 6 Volts, Rl=100 ohms.

6 Lake Street - Lawrence, MA 01841

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JAN1N4153UR-1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
1N4153UR-1	MICROSEMI	完全替代	SWITCHING DIODES

与JAN1N4153UR-1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN1N4153X	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 75V V(RRM), Silicon
JAN1N4245	MICROSEMI	获取价格	MILITARY RECTIFIERS
JAN1N4245	SEMTECH	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
JAN1N4245	SENSITRON	获取价格	HERMETIC AXIAL LEAD RECTIFIER
JAN1N4245US	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-1, 2 PI
JAN1N4246	MICROSEMI	获取价格	MILITARY RECTIFIERS
JAN1N4246	SENSITRON	获取价格	HERMETIC AXIAL LEAD RECTIFIER
JAN1N4246	SEMTECH	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
JAN1N4246US	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-1, 2 PI
JAN1N4247	MICROSEMI	获取价格	MILITARY RECTIFIERS

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