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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | DO-35 |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.28 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW NOISE |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MIL-19500/435 |
| 标称参考电压： | 9.1 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 最大电压容差： | 1% | 工作测试电流： | 250 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN1N4103-1/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLA |
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| JAN1N4103C | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES |
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| JAN1N4103C/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 9.1V V(Z), 2%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLA |
|
| JAN1N4103C-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 9.1V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-7, 2 PIN |
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| JAN1N4103C-1/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 9.1V V(Z), 2%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLA |
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| JAN1N4103CUR | MICROSEMI |
获取价格 |
GLASS SURFACE MOUNT 0.5 WATT ZENERS |
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| JAN1N4103CUR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES |
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| JAN1N4103CUR-1 | CDI-DIODE |
获取价格 |
Zener Diode, 9.1V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, DO-213AA, 2 PIN |
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| JAN1N4103CURTR | MICROSEMI |
获取价格 |
GLASS SURFACE MOUNT 0.5 WATT ZENERS |
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| JAN1N4103CURTR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
GLASS SURFACE MOUNT 0.5 WATT ZENERS |
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