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JAN1N4103-1

更新时间: 2024-11-09 05:23:07
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管测试
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2页 90K
描述
SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES

JAN1N4103-1 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-7
包装说明:O-XALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.16
Is Samacsys:N其他特性:METALLURGICALLY BONDED
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-XALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500/435F标称参考电压:9.1 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:5%工作测试电流:0.25 mA
Base Number Matches:1

JAN1N4103-1 数据手册

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JAN1N4103-1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N4103 MICROSEMI

完全替代

SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES

与JAN1N4103-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN1N4103-1/TR MICROSEMI

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Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLA
JAN1N4103C MICROSEMI

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SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES
JAN1N4103C/TR MICROSEMI

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Zener Diode, 9.1V V(Z), 2%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLA
JAN1N4103C-1 MICROSEMI

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Zener Diode, 9.1V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-7, 2 PIN
JAN1N4103C-1/TR MICROSEMI

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Zener Diode, 9.1V V(Z), 2%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLA
JAN1N4103CUR MICROSEMI

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GLASS SURFACE MOUNT 0.5 WATT ZENERS
JAN1N4103CUR-1 MICROSEMI

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SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES
JAN1N4103CUR-1 CDI-DIODE

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Zener Diode, 9.1V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, DO-213AA, 2 PIN
JAN1N4103CURTR MICROSEMI

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GLASS SURFACE MOUNT 0.5 WATT ZENERS
JAN1N4103CURTR-1 MICROSEMI

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GLASS SURFACE MOUNT 0.5 WATT ZENERS