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1N4103

更新时间: 2024-11-19 22:52:03
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美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管测试
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2页 90K
描述
SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES

1N4103 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-35
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.63
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:DO-204AH
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.48 W
标称参考电压:9.1 V表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:5%
工作测试电流:0.25 mABase Number Matches:1

1N4103 数据手册

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1N4103 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTXV1N4103-1 MICROSEMI

完全替代

SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES
1N4696(DO35) MICROSEMI

类似代替

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Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERM
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