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JAN1N3825DUR-1 PDF预览

JAN1N3825DUR-1

更新时间： 2024-11-11 19:03:51
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
2页 43K
描述
Zener Diode, 4.7V V(Z), 1%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, DO-213AB, 2 PIN

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JAN1N3825DUR-1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-213AB
包装说明：O-LELF-R2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.35
其他特性：METALLURGICALLY BONDED外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODE最大动态阻抗：8 Ω
JEDEC-95代码：DO-213ABJESD-30 代码：O-LELF-R2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：225
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：1 W
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500/115K
标称参考电压：4.7 V子类别：Voltage Reference Diodes
表面贴装：YES技术：ZENER
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WRAP AROUND
端子位置：END处于峰值回流温度下的最长时间：20
最大电压容差：1%工作测试电流：53 mA
Base Number Matches：1

JAN1N3825DUR-1 数据手册

 浏览型号JAN1N3825DUR-1的Datasheet PDF文件第2页 
1N3821AUR-1  
• 1N3821AUR-1 thru 1N3828AUR-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX AND JAN-  
TXV  
thru  
1N3828AUR-1  
PER MIL-PRF-19500/115  
and  
• LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT  
• DOUBLE PLUG CONSTRUCTION  
CDLL3821 thru CDLL 3828A  
MAXIMUM RATINGS  
Operating Temperature: -65°C to +175°C  
Storage Temperature: -65°C to +175°C  
DC Power Dissipation: 1 watt @ +T  
= 125°C  
EC  
Power Derating: 20 mW / °C above T  
= 125°C  
EC  
Forward Voltage @ 200mA = 1.2 volts maximum  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C  
MILLIMETERS  
INCHES  
CDI  
TYPE  
NOMINAL  
ZENER  
ZENER  
TEST  
MAX. DC  
ZENER  
DIM MIN MAX MIN MAX  
MAXIMUM ZENER IMPEDANCE  
MAX. REVERSE  
D
F
2.39  
0.41  
4.80  
2.66 .094 .105  
0.55 .016 .022  
5.20 .189 .205  
NUMBER  
VOLTAGE  
CURRENT  
CURRENT  
LEAKAGE CURRENT  
V
@ 1  
1
Z
@ 1  
ZT  
Z
@ 1  
ZK=1mA  
1
l
@ V  
Z
ZT  
ZT  
ZT  
ZK  
(NOTE 2)  
ZM  
R
R
G
(NOTE 1)  
(NOTE 3)  
G1  
S
4.11 REF.  
0.03 MIN.  
.159 REF.  
.001 MIN.  
VOLTS  
mA  
OHMS  
OHMS  
mA  
µ A  
VOLTS  
CDLL3821  
CDLL3821A  
CDLL3822  
CDLL3822A  
3.3  
3.3  
3.6  
3.6  
76  
76  
69  
69  
10  
10  
10  
10  
400  
400  
400  
400  
276  
276  
252  
252  
100  
100  
75  
1
1
1
1
FIGURE 1  
75  
DESIGN DATA  
CDLL3823  
CDLL3823A  
CDLL3824  
CDLL3824A  
3.9  
3.9  
4.3  
4.3  
64  
64  
58  
58  
9
9
9
9
400  
400  
400  
400  
238  
238  
213  
213  
25  
25  
5
1
1
1
1
CASE: DO-213AB, Hermetically sealed  
glass case. (MELF, LL41)  
5
CDLL3825  
CDLL3825A  
CDLL3826  
CDLL3826A  
4.7  
4.7  
5.1  
5.1  
53  
53  
49  
49  
8
8
7
7
500  
500  
550  
550  
194  
194  
178  
178  
5
5
3
3
1
1
1
1
LEAD FINISH: Tin / Lead  
THERMAL RESISTANCE: (R  
°C/W maximum at L = 0 inch  
): 50  
OJEC  
CDLL3827  
CDLL3827A  
CDLL3828  
CDLL3828A  
5.6  
5.6  
6.2  
6.2  
45  
45  
41  
41  
5
5
2
2
600  
600  
700  
700  
162  
162  
146  
146  
3
3
3
3
2
2
3
3
THERMAL IMPEDANCE: (ZO ): 15  
°C/W maximum  
JX  
POLARITY: Diode to be operated with the  
banded (cathode) end positive.  
MOUNTING POSITION: Any.  
NOTE 1  
No suffix = + 10% tolerance on nominal Zener voltage, suffix “A” signifies +5%, "C" suffix  
signifies + 2% and "D" suffix signifies + 1%.  
MOUNTING SURFACE SELECTION:  
The Axial Coefficient of Expansion (COE)  
Of this Device is Approximately  
+6PPM/°C. The COE of the Mounting  
Surface System Should Be Selected To  
Provide A Suitable Match With This  
Device.  
NOTE 2  
NOTE 3  
Zener impedance is derived by superimposing on 1  
A 60Hz rms a.c. current equal to  
ZT  
10% of 1  
ZT.  
Zener voltage is measured with the device junction in thermal equilibrium at an ambient  
temperature of 25°C + 3°C.  
6 LAKE STREET, LAWRENCE, MASSACHUSETTS 01841  
PHONE (978) 620-2600  
FAX (978) 689-0803  
WEBSITE: http://www.microsemi.com  
109  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN1N3825TR MICROSEMI

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JAN1N3825UR-1 MICROSEMI

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JAN1N3826 MICROSEMI

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JAN1N3826A MICROSEMI

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JAN1N3826ATR MICROSEMI

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 		SILICON 1 WATT ZENER DIODES
JAN1N3826C-1 MICROSEMI

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 		Zener Diode, 5.1V V(Z), 2%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-41, DO-41, 2 PIN

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