是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-213AB |
包装说明: | O-LELF-R2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.35 |
其他特性: | METALLURGICALLY BONDED | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | ZENER DIODE | 最大动态阻抗: | 7 Ω |
JEDEC-95代码: | DO-213AB | JESD-30 代码: | O-LELF-R2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 1 W |
认证状态: | Qualified | 参考标准: | MIL-19500/115K |
标称参考电压: | 5.1 V | 子类别: | Voltage Reference Diodes |
表面贴装: | YES | 技术: | ZENER |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | WRAP AROUND |
端子位置: | END | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
最大电压容差: | 1% | 工作测试电流: | 49 mA |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JAN1N3826TR | MICROSEMI |
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SILICON 1 WATT ZENER DIODES | |
JAN1N3826UR-1 | MICROSEMI |
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SILICON 1 WATT ZENER DIODES | |
JAN1N3826UR-1TR | MICROSEMI |
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SILICON 1 WATT ZENER DIODES | |
JAN1N3827 | MICROSEMI |
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SILICON 1 WATT ZENER DIODES | |
JAN1N3827A | MICROSEMI |
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SILICON 1 WATT ZENER DIODES | |
JAN1N3827A-1 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 5.6V V(Z), 5%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-41, DO-41, 2 PIN | |
JAN1N3827ATR | MICROSEMI |
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SILICON 1 WATT ZENER DIODES | |
JAN1N3827AUR-1 | MICROSEMI |
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SILICON 1 WATT ZENER DIODES | |
JAN1N3827AUR-1TR | MICROSEMI |
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SILICON 1 WATT ZENER DIODES | |
JAN1N3827CUR-1 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 5.6V V(Z), 2%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, DO-213AB, 2 PIN |