5秒后页面跳转
IXYN100N65C3H1 PDF预览

IXYN100N65C3H1

更新时间: 2022-09-29 18:54:25
品牌 Logo 应用领域
IXYS 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 232K
描述
IGBT XPT 650V 166A SOT-227B

IXYN100N65C3H1 数据手册

 浏览型号IXYN100N65C3H1的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IXYN100N65C3H1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXYN100N65C3H1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXYN100N65C3H1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXYN100N65C3H1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IXYN100N65C3H1的Datasheet PDF文件第7页 
IXYN100N65C3H1  
Fig. 1. Output Characteristics @ TJ = 25ºC  
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ TJ = 25ºC  
140  
120  
100  
80  
V
= 15V  
GE  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
V
= 15V  
GE  
13V  
12V  
11V  
13V  
12V  
10V  
9V  
11V  
10V  
60  
9V  
8V  
7V  
40  
20  
8V  
7V  
0
0
0
0.5  
1
1.5  
2
2.5  
3
3.5  
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
VCE - Volts  
VCE - Volts  
Fig. 4. Dependence of VCE(sat) on  
Junction Temperature  
Fig. 3. Output Characteristics @ TJ = 150ºC  
140  
120  
100  
80  
2.0  
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
V
= 15V  
GE  
V
= 15V  
GE  
13V  
12V  
11V  
10V  
9V  
I
= 140A  
C
8V  
I
= 70A  
60  
C
40  
7V  
6V  
20  
I
= 35A  
100  
C
0
0
0.5  
1
1.5  
2
2.5  
3
3.5  
4
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
125  
150  
175  
VCE - Volts  
TJ - Degrees Centigrade  
Fig. 5. Collector-to-Emitter Voltage vs.  
Gate-to-Emitter Voltage  
Fig. 6. Input Admittance  
6.0  
5.5  
5.0  
4.5  
4.0  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
200  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
T
J
= 25ºC  
I
= 140A  
70A  
C
T
J
= 150ºC  
25ºC  
- 40ºC  
60  
40  
35A  
20  
0
7
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
4
5
6
7
8
9
10  
11  
VGE (V)  
VGE (V)  
© 2014 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  

与IXYN100N65C3H1相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
IXYN110N120A4 LITTELFUSE 通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程,这些高达

获取价格

IXYN110N120B4H1 LITTELFUSE 这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发,具有低热

获取价格

IXYN110N120C4 LITTELFUSE 这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发,具有低热

获取价格

IXYN110N120C4H1 LITTELFUSE 这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发,具有低热

获取价格

IXYN120N120C3 LITTELFUSE 该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT

获取价格

IXYN120N65B3D1 LITTELFUSE 该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT

获取价格