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IXFH42N20

更新时间： 2023-12-06 20:13:11

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXFH42N20 数据手册

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IXFH/IXFM42N20 IXFH/IXFM58N20 IXFT50N20

IXFH/IXFM50N20 IXFT58N20

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

TO-247 AD (IXFH) Outline

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

R_DS(on)V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

42N20

50N20

58N20

0.060

0.045

0.040

W

W

W

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

g_fs

V_DS= 10 V; I_D= 0.5 I_D25, pulse test

20

32

S

C_iss

C_oss

C_rss

4400

800

285

pF

pF

pF

V_GS= 0 V, V_DS= 25 V, f = 1 MHz

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

18

15

72

16

25

20

90

25

ns

ns

ns

ns

Dim. Millimeter

Inches

V_GS= 10 V, V_DS= 0.5 V_DSS, I_D= 0.5 I_D25

R_G= 1 W (External)

Min. Max. Min. Max.

A

B

19.81 20.32 0.780 0.800

20.80 21.46 0.819 0.845

C

D

15.75 16.26 0.610 0.640

3.55 3.65 0.140 0.144

Q_g(on)

Q_gs

Q_gd

190

35

95

220

50

110

nC

nC

nC

V_GS= 10 V, V_DS= 0.5 V_DSS, I_D= 0.5 I_D25

(TO-247 and TO-204 Case styles)

E

F

4.32 5.49 0.170 0.216

5.4

6.2 0.212 0.244

G

H

1.65 2.13 0.065 0.084

R_thJC

R_thCK

0.42 K/W

K/W

-

4.5

-

0.177

0.25

J

1.0

1.4 0.040 0.055

K

10.8 11.0 0.426 0.433

L

M

4.7

0.4

5.3 0.185 0.209

0.8 0.016 0.031

Source-DrainDiode

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

N

1.5 2.49 0.087 0.102

Symbol

I_S

TestConditions

Min. Typ.

Max.

TO-204 AE (IXFM) Outline

V_GS= 0 V

42N20

50N20

58N20

42

50

58

A

A

A

I_SM

Repetitive;

pulse width limited by T_JM

42N20

50N20

58N20

168

200

232

A

A

A

V_SD

t_rr

Q_RM

I_RM

I_F= I_S, V_GS= 0 V,

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

1.5

V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200 ns

300 ns

I_F= 25A,

-di/dt = 100 A/ms,

V_R= 100 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

1.5

2.6

mC

mC

Dim.

Millimeter

Min. Max.

Inches

Min. Max.

A

B

38.61 39.12 1.520 1.540

- 22.22 0.875

T_J= 25°C

T_J= 125°C

19

23

A

A

-

C

D

6.40 11.40 0.252 0.449

1.45 1.60 0.057 0.063

E

F

1.52 3.43 0.060 0.135

30.15 BSC 1.187 BSC

TO-268AA (D³PAK)

Dim.

Millimeter

Min. Max.

Inches

Min. Max.

G

H

10.67 11.17 0.420 0.440

5.21 5.71 0.205 0.225

A

A₁

A₂

4.9

2.7

.02

5.1

2.9

.25

.193 .201

.106 .114

.001 .010

J

K

16.64 17.14 0.655 0.675

11.18 12.19 0.440 0.480

Q

R

3.84 4.19 0.151 0.165

25.16 26.66 0.991 1.050

b

b₂

C

1.15

1.9

.4

1.45

2.1

.65

.045 .057

.75

.83

.016 .026

Min. Recommended Footprint

D

E

E₁

13.80 14.00

15.85 16.05

.543 .551

.624 .632

.524 .535

13.3

5.45 BSC

18.70 19.10

13.6

e

H

L

.215 BSC

.736 .752

.094 .106

2.40

2.70

L1

L2

L3

L4

1.20

1.00

0.25 BSC

1.40

1.15

.047 .055

.039 .045

.010 BSC

3.80

4.10

.150 .161

IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:

© 2000 IXYS All rights reserved

2 - 4

4,835,592

4,850,072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,486,715

5,381,025

123 4 5

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与IXFH42N20相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXFH42N20S	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 42A I(D) \| TO-247VAR	获取价格
IXFH42N50P2	IXYS	PolarP2 HiperFET Power MOSFET	获取价格
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