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ISL705BEHVX

更新时间： 2024-01-11 17:15:46
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL 信息通信管理
页数 文件大小 规格书
19页 1152K
描述
Rad-Hard, 5.0V/3.3V μ-Processor Supervisory Circuits

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ISL705BEHVX 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：DIE,
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.66
其他特性：RESET THRESHOLD VOLTAGE IS 4.65可调阈值：NO
模拟集成电路 - 其他类型：POWER SUPPLY MANAGEMENT CIRCUITJESD-30 代码：R-XUUC-N10
信道数量：1功能数量：1
端子数量：10最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DIE封装形状：RECTANGULAR
封装形式：UNCASED CHIP最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.75 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：BICMOS
温度等级：MILITARY端子形式：NO LEAD
端子位置：UPPER总剂量：100k Rad(Si) V
Base Number Matches：1

ISL705BEHVX 数据手册

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ISL705AEH, ISL705BEH, ISL705CEH, ISL706AEH, ISL706BEH, ISL706CEH  
Absolute Maximum Ratings  
Thermal Information  
Supply Voltage Range . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to 6.5V  
Thermal Resistance (Typical)  
8 Ld Flatpack Package (Notes 3, 4). . . . . .  
θ
JA (°C/W)  
140  
θ
JC (°C/W)  
Voltage on All Other Inputs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to V + 0.3V  
15  
DD  
ESD Rating  
Maximum Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+175°C  
Storage Temperature Range. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-65°C to +150°C  
Human Body Model (Tested per MIL-PRF-883 3015.7). . . . . . . . . .3.0kV  
Machine Model (Tested per JESD22-A115C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V  
Charged Device Model (Tested per JESD22-C110D) . . . . . . . . . . . .1.0kV  
Latch Up (Tested per JESD-78C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Class 2, Level A  
Recommended Operating Conditions  
Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-55°C to +125°C  
Supply Voltage  
ISL705AEH/BEH/CEH . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.75V to 5.5V  
ISL706AEH/BEH/CEH . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.15V to 3.6V  
CAUTION: Do not operate at or near the maximum ratings listed for extended periods of time. Exposure to such conditions may adversely impact product  
reliability and result in failures not covered by warranty.  
NOTES:  
3. θ is measured with the component mounted on a low effective thermal conductivity test board in free air. See Tech Brief TB379 for details.  
JA  
4. For θJC, the “case temp” location is the center of the package underside.  
Electrical Specifications Unless otherwise specified V = 4.75V to 5.5V for the ISL705AEH/BEH/CEH, V = 3.15V to 3.6V for the  
DD  
DD  
ISL706AEH/BEH/CEH T = -55°C to +125°C. Boldface limits apply over the operating temperature range, -55°C to +125°C; over a total ionizing dose of  
A
100krad(Si) with exposure at a high dose rate of 50 - 300krad(Si)/s; and over a total ionizing dose of 50krad(Si) with exposure at a low dose rate of  
<10mrad(Si)/s.  
MIN  
TYP  
MAX  
SYMBOL  
PARAMETER  
CONDITIONS  
(Note 5) (Note 6) (Note 5) UNITS  
POWER SUPPLY SECTION  
V
Operating Supply Voltage (Note 7)  
ISL705AEH/BEH/CEH  
1.2  
1.2  
5
5.5  
3.6  
V
V
DD  
ISL706AEH/BEH/CEH  
ISL705AEH/BEH/CEH  
ISL706AEH/BEH/CEH  
3.3  
I
Operating Supply Current  
530  
400  
µA  
µA  
DD  
RESET SECTION  
V
Reset Threshold Voltage  
ISL705AEH/BEH/CEH  
ISL706AEH/BEH/CEH  
ISL705AEH/BEH/CEH  
ISL706AEH/BEH/CEH  
4.50  
3.00  
20  
4.65  
3.08  
40  
4.75  
3.15  
V
V
RST  
HYS  
RST  
V
Reset Threshold Voltage Hysteresis  
mV  
mV  
ms  
V
20  
30  
t
Reset Pulse Width  
140  
200  
280  
0.4  
V
Reset Output Voltage  
ISL705AEH/BEH, I  
= 800µA  
V
- 1.5  
DD  
OUT  
SOURCE  
ISL705AEH/BEH/CEH, I  
= 3.2mA  
V
SINK  
ISL706AEH/BEH, I  
= 500µA  
0.8 x V  
0.9  
V
SOURCE  
DD  
ISL706AEH/BEH/CEH, I  
= 1.2mA  
= 100µA  
0.3  
0.3  
V
SINK  
ISL70XAEH/CEH, V = 1.2V, I  
V
DD  
SINK  
= 4µA  
ISL70XBEH, V = 1.2V, I  
V
DD SOURCE  
I
Reset Output Leakage Current  
ISL705CEH, V  
= V  
= V  
1
1
µA  
µA  
LEAK  
OUT  
OUT  
DD  
DD  
ISL706CEH, V  
FN8262.0  
March 30, 2012  
5
12345678...19

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