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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, DIP8,.3 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.91 | 其他特性： | AUTOMATIC WRITE |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 1 MHz | 数据保留时间-最小值： | 10 |
| 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码： | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 9.3218 mm |
| 内存密度： | 2048 bit | 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 字数： | 128 words |
| 字数代码： | 128 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 128X16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP8,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 3/5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 4.572 mm |
| 串行总线类型： | MICROWIRE | 最大待机电流： | 0.00001 A |
| 子类别： | EEPROMs | 最大压摆率： | 0.006 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 7.62 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC)： | 10 ms | 写保护： | SOFTWARE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IS93C56-3PI | ISSI | 2,048-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM |
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| IS93C56A | ISSI | 2K-BIT/4K-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM |
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|
| IS93C56A-2DLI | ISSI | 暂无描述 |
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| IS93C56A-2GRI | ISSI | 2K-BIT/4K-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM |
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| IS93C56A-2GRLI | ISSI | 2K-BIT/4K-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM |
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| IS93C56A-2PI | ISSI | 2K-BIT/4K-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROM |
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