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IS64WV6416DBLL-10BA3

更新时间： 2024-11-27 20:10:03
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 737K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MO-207, TFBGA-48

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IS64WV6416DBLL-10BA3 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
零件包装代码：DSBGA包装说明：TFBGA, BGA48,6X8,30
针数：48Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.2.BHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.82最长访问时间：10 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PBGA-B48
长度：8 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：48
字数：65536 words字数代码：64000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C组织：64KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装等效代码：BGA48,6X8,30
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL电源：2.5/3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.00009 A最小待机电流：2 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.065 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.4 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子形式：BALL端子节距：0.75 mm
端子位置：BOTTOM宽度：6 mm
Base Number Matches：1

IS64WV6416DBLL-10BA3 数据手册

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performanceꢀCMOSꢀtechnology.Thisꢀhighlyꢀreliableꢀprocessꢀ  
                                                                             
IS61WV6416DALL/DALS  
IS61WV6416DBLL/DBLS  
IS64WV6416DBLL/DBLS  
64K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS  
CMOS STATIC RAM  
JANUARY 2011  
DESCRIPTION  
FEATURES  
TheꢀISSIꢀIS61WV6416DAxx/DBxxꢀandꢀIS64WV6416DBxxꢀ  
areꢀhigh-speed,ꢀ1,048,576-bitꢀstaticꢀRAMsꢀorganizedꢀasꢀ  
65,536ꢀwordsꢀbyꢀ16ꢀbits.ꢀItꢀisꢀfabricatedꢀusingꢀISSI'sꢀhigh-  
HIGHꢀSPEED:ꢀ(IS61/64WV6416DALL/DBLL)  
•ꢀ High-speedꢀaccessꢀtime:ꢀ8,ꢀ10,ꢀ12,ꢀ20ꢀns  
•ꢀ LowꢀActiveꢀPower:ꢀ135ꢀmWꢀ(typical)  
•ꢀ LowꢀStandbyꢀPower:ꢀ12ꢀµWꢀ(typical)  
coupledꢀwithꢀinnovativeꢀcircuitꢀdesignꢀtechniques,ꢀyieldsꢀ  
high-performanceꢀandꢀlowꢀpowerꢀconsumptionꢀdevices.  
CMOSꢀstandby  
LOWꢀPOWER:ꢀ(IS61/64WV6416DALS/DBLS)  
•ꢀ High-speedꢀaccessꢀtime:ꢀ25,ꢀ35ꢀns  
•ꢀ LowꢀActiveꢀPower:ꢀ55ꢀmWꢀ(typical)  
WhenꢀCEꢀisꢀHIGHꢀ(deselected),ꢀtheꢀdeviceꢀassumesꢀaꢀ  
standbyꢀmodeꢀatꢀwhichꢀtheꢀpowerꢀdissipationꢀcanꢀbeꢀre-  
ducedꢀdownꢀwithꢀCMOSꢀinputꢀlevels.  
•ꢀ LowꢀStandbyꢀPower:ꢀ12ꢀµWꢀ(typical)  
CMOSꢀstandby  
EasyꢀmemoryꢀexpansionꢀisꢀprovidedꢀbyꢀusingꢀChipꢀEnableꢀ  
andꢀOutputꢀEnableꢀinputs,ꢀCEꢀandꢀOE.ꢀTheꢀactiveꢀLOWꢀ  
WriteꢀEnableꢀ(WE)ꢀcontrolsꢀbothꢀwritingꢀandꢀreadingꢀofꢀtheꢀ  
memory.ꢀꢀAꢀdataꢀbyteꢀallowsꢀUpperꢀByteꢀ(UB)ꢀandꢀLowerꢀ  
Byteꢀ(LB)ꢀaccess.  
•ꢀ Singleꢀpowerꢀsupply  
ꢀ —ꢀꢀVddꢀ1.65Vꢀtoꢀ2.2Vꢀ(IS61WV6416DAxx)  
ꢀ —ꢀꢀVddꢀ2.4Vꢀtoꢀ3.6Vꢀ(IS61/64WV6416DBxx)  
•ꢀ Fullyꢀstaticꢀoperation:ꢀnoꢀclockꢀorꢀrefreshꢀꢀ  
required  
•ꢀ Threeꢀstateꢀoutputs  
•ꢀ Dataꢀcontrolꢀforꢀupperꢀandꢀlowerꢀbytes  
•ꢀ IndustrialꢀandꢀAutomotiveꢀtemperatureꢀsupport  
•ꢀ Lead-freeꢀavailable  
Theꢀ IS61WV6416DAxx/DBxxꢀ andꢀ IS64WV6416DBxxꢀ  
areꢀꢀpackagedꢀinꢀtheꢀJEDECꢀstandardꢀ44-pinꢀTSOPꢀTypeꢀ  
II,ꢀ 44-pinꢀ 400-milꢀ SOJꢀ ꢀ andꢀ 48-pinꢀ Miniꢀ BGAꢀ (6mmꢀ xꢀ  
8mm).  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
64K x 16  
MEMORY ARRAY  
A0-A15  
DECODER  
VDD  
GND  
I/O0-I/O7  
Lower Byte  
I/O  
DATA  
COLUMN I/O  
CIRCUIT  
I/O8-I/O15  
Upper Byte  
CE  
OE  
WE  
CONTROL  
CIRCUIT  
UB  
LB  
Copyrightꢀ©ꢀ2010ꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀꢀAllꢀrightsꢀreserved.ꢀꢀISSIꢀreservesꢀtheꢀrightꢀtoꢀmakeꢀchangesꢀtoꢀthisꢀspecificationꢀandꢀitsꢀproductsꢀatꢀanyꢀtimeꢀwithoutꢀ  
notice.ꢀꢀꢀISSIꢀassumesꢀnoꢀliabilityꢀarisingꢀoutꢀofꢀtheꢀapplicationꢀorꢀuseꢀofꢀanyꢀinformation,ꢀproductsꢀorꢀservicesꢀdescribedꢀherein.ꢀCustomersꢀareꢀadvisedꢀtoꢀobtainꢀtheꢀlat-  
estꢀversionꢀofꢀthisꢀdeviceꢀspecificationꢀbeforeꢀrelyingꢀonꢀanyꢀpublishedꢀinformationꢀandꢀbeforeꢀplacingꢀordersꢀforꢀproducts.ꢀ  
IntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀdoesꢀnotꢀrecommendꢀtheꢀuseꢀofꢀanyꢀofꢀitsꢀproductsꢀinꢀlifeꢀsupportꢀapplicationsꢀwhereꢀtheꢀfailureꢀorꢀmalfunctionꢀofꢀtheꢀproductꢀcanꢀreason-  
ablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀcauseꢀfailureꢀofꢀtheꢀlifeꢀsupportꢀsystemꢀorꢀtoꢀsignificantlyꢀaffectꢀitsꢀsafetyꢀorꢀeffectiveness.ꢀProductsꢀareꢀnotꢀauthorizedꢀforꢀuseꢀinꢀsuchꢀapplicationsꢀ  
unlessꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀreceivesꢀwrittenꢀassuranceꢀtoꢀitsꢀsatisfaction,ꢀthat:  
a.)ꢀtheꢀriskꢀofꢀinjuryꢀorꢀdamageꢀhasꢀbeenꢀminimized;  
b.)ꢀtheꢀuserꢀassumeꢀallꢀsuchꢀrisks;ꢀand  
c.)ꢀpotentialꢀliabilityꢀofꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀIncꢀisꢀadequatelyꢀprotectedꢀunderꢀtheꢀcircumstances  
ꢀ
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.comꢀ  
1
Rev. A  
11/18/2010  
1234567...21

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