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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DSBGA |
| 包装说明： | TFBGA, BGA54,9X9,32 | 针数： | 54 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.24 | 风险等级： | 5.73 |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 5.4 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 133 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B54 | JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 13 mm | 内存密度： | 268435456 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 54 |
| 字数： | 16777216 words | 字数代码： | 16000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 16MX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TFBGA | 封装等效代码： | BGA54,9X9,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 2.5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 自我刷新： | YES |
| 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流： | 0.003 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.13 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 宽度： | 8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IS42R16160D-75TLI | ISSI | Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54 |
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| IS42R16160J-75TL | ISSI | Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, TSOP2-54 |
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| IS42R16160J-75TLI | ISSI | Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, TSOP2-54 |
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| IS42R16320D | ISSI | Internal bank for hiding row access/precharge |
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| IS42R16320D-5BL | ISSI | Synchronous DRAM, 32MX16, 5ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13 MM, 0.80 MMM, PITCH, LEAD FREE, MO-207 |
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| IS42R16320D-6BL | ISSI | Synchronous DRAM, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13 MM, 0.80 MMM, PITCH, LEAD FREE, MO-2 |
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