Datasheet > 存储 > DRAM> IS41C4100-35J

IS41C4100-35J

更新时间： 2024-02-10 10:27:39

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路光电二极管动态存储器
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19页	145K
描述
1Meg x 4 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

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IS41C4100-35J 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	TSOP, TSOP20/26,.36	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.83	最长访问时间：	35 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G20
JESD-609代码：	e0	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	4
端子数量：	20	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP	封装等效代码：	TSOP20/26,.36
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	1024	自我刷新：	NO
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.11 mA	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

IS41C4100-35J 数据手册

IS41C4100

IS41LV4100

ISSI

ELECTRICALCHARACTERISTICS⁽¹⁾

(Recommended Operation Conditions unless otherwise noted.)

Symbol Parameter

Test Condition

Speed Min. Max.

Unit

I^IL

Input Leakage Current

Any input 0V ≤ VIN ≤ Vcc

Other inputs not under test = 0V

–5

µA

I^IO

Output Leakage Current

Output is disabled (Hi-Z)

–5

µA

0V ≤ VOUT ≤ Vcc

VOH

VOL

I^CC1

Output High Voltage Level

Output Low Voltage Level

Stand-by Current: TTL

IOH = –2.5 mA

2.4

—

IOL = +2.1 mA

—

0.4

RAS, CAS ≥ VIH

Commercial 5V

Industrial 5V

Commercial 3V

—

Industrial

ICC2

ICC3

Stand-by Current: CMOS

RAS, CAS ≥ VCC – 0.2V

RAS, CAS,

—

0.5

Operating Current:

-35

-60

—

100

Random Read/Write^(2,3,4)

AveragePowerSupplyCurrent

Address Cycling, tRC = tRC (min.)

ICC4

ICC5

Operating Current:

RAS = VIL, CAS,

Cycling tPC = tPC (min.)

-35

-60

—

120

EDO Page Mode^(2,3,4)

AveragePowerSupplyCurrent

Refresh Current:

RAS Cycling, CAS ≥ VIH

tRC = tRC (min.)

-35

-60

—

100

RAS-Only^(2,3)

AveragePowerSupplyCurrent

ICC6

Refresh Current:

RAS, CAS Cycling

tRC = tRC (min.)

-35

-60

—

100

CBR^(2,3,5)

Average Power Supply Current

Notes:

1. An initial pause of 200 µs is required after power-up followed by eight RAS refresh cycles (RAS-Only or CBR) before proper device

operation is assured. The eight RAS cycles wake-up should be repeated any time the t^REFrefresh requirement is exceeded.

2. Dependent on cycle rates.

3. Specified values are obtained with minimum cycle time and the output open.

4. Column-address is changed once each EDO page cycle.

5. Enables on-chip refresh and address counters.

Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774

PRELIMINARY INFORMATION Rev. 00A

09/10/01

1...3 4 567 8 9...19

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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IS41C4100-60J	ISSI	1Meg x 4 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE	获取价格
IS41C4100-60JI	ISSI	1Meg x 4 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE	获取价格
IS41C44002	ICSI	4Mx4 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode	获取价格
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