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Datasheet > 暂无类别数据> IS41C16256-35T-TR
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IS41C16256-35T-TR

更新时间： 2024-09-30 13:02:43
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美国芯成 - ISSI 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
19页 154K
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IS41C16256-35T-TR 数据手册

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®
IS41C16256  
IS41LV16256  
256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM  
WITH EDO PAGE MODE  
ISSI  
JUNE 2000  
FEATURES  
DESCRIPTION  
• TTL compatible inputs and outputs  
• Refresh Interval: 512 cycles/8 ms  
TheISSI IS41C16256andIS41LV16256are262,144x16-bit  
high-performanceCMOSDynamicRandomAccessMemory. Both  
productsofferacceleratedcycleaccessEDOPageMode. EDO  
PageModeallows512randomaccesseswithinasinglerowwith  
accesscycletimeasshortas10nsper16-bitword.TheByteWrite  
control, of upper and lower byte, makes the IS41C16256 and  
IS41LV16256idealforusein16and32-bitwidedatabussystems.  
• Refresh Mode : RAS-Only, CAS-before-RAS  
(CBR), and Hidden  
• JEDEC standard pinout  
• Single power supply  
5V ± 10% (IS41C16256)  
ThesefeaturesmaketheIS41C16256andIS41LV1626 ideally  
suited for high band-width graphics, digital signal processing,  
high-performancecomputingsystems,andperipheralapplications.  
3.3V ± 10% (IS41LV16256)  
• Byte Write and Byte Read operation via two CAS  
• Extended Temperature Range -30oC to 85oC  
• Industrail Temperature Range -40oC to 85oC  
The IS41C16256 and IS41LV16256 are packaged in 40-pin  
400-mil SOJ and TSOP (Type II).  
KEY TIMING PARAMETERS  
Parameter  
-35  
-50  
50  
14  
25  
20  
90  
-60  
60  
Unit  
ns  
Max. RAS Access Time (tRAC)  
Max. CAS Access Time (tCAC)  
Max. Column Address Access Time (tAA)  
Min. EDO Page Mode Cycle Time (tPC)  
Min. Read/Write Cycle Time (tRC)  
35  
10  
18  
12  
60  
15  
ns  
30  
ns  
25  
ns  
110  
ns  
PIN CONFIGURATIONS  
40-Pin TSOP (Type II)  
40-Pin SOJ  
VCC  
I/O0  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
VCC  
I/O4  
I/O5  
I/O6  
I/O7  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
GND  
I/O15  
I/O14  
I/O13  
I/O12  
GND  
I/O11  
I/O10  
I/O9  
VCC  
I/O0  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
VCC  
I/O4  
I/O5  
I/O6  
I/O7  
NC  
1
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
GND  
I/O15  
I/O14  
I/O13  
I/O12  
GND  
I/O11  
I/O10  
I/O9  
I/O8  
NC  
2
PIN DESCRIPTIONS  
3
4
A0-A8 Address Inputs  
5
I/O0-15 Data Inputs/Outputs  
6
7
WE  
Write Enable  
8
OE  
Output Enable  
9
I/O8  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
RAS  
UCAS  
LCAS  
Vcc  
Row Address Strobe  
UpperColumnAddressStrobe  
LowerColumnAddressStrobe  
Power  
NC  
NC  
WE  
RAS  
NC  
A0  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
NC  
NC  
LCAS  
UCAS  
OE  
LCAS  
UCAS  
OE  
WE  
RAS  
NC  
A8  
A8  
A0  
A7  
A7  
GND  
NC  
Ground  
A1  
A6  
A1  
A6  
No Connection  
A2  
A5  
A2  
A5  
A3  
A4  
A3  
A4  
VCC  
GND  
VCC  
GND  
ISSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best possible product. We assume no responsibility for any  
errors which may appear in this publication. © Copyright 2000, Integrated Silicon Solution, Inc.  
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774  
Rev. J  
1
06/29/00  
1234567...19

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