5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 存储 > DRAM> IS41C16256-50TI
IS41C16256-50TI PDF预览

IS41C16256-50TI

更新时间： 2024-09-29 22:48:03
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
19页 154K
描述
256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

阅读下载

中文翻译

获取价格

IS41C16256-50TI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2, TSOP40/44,.46,32
针数：40Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.44Is Samacsys：N
访问模式：FAST PAGE WITH EDO最长访问时间：50 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G40JESD-609代码：e0
长度：18.41 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：EDO DRAM内存宽度：16
功能数量：1端口数量：1
端子数量：40字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：256KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装等效代码：TSOP40/44,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：512座面最大高度：1.2 mm
自我刷新：NO最大待机电流：0.002 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

IS41C16256-50TI 数据手册

 浏览型号IS41C16256-50TI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IS41C16256-50TI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IS41C16256-50TI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IS41C16256-50TI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IS41C16256-50TI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IS41C16256-50TI的Datasheet PDF文件第7页 
®
IS41C16256  
IS41LV16256  
256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM  
WITH EDO PAGE MODE  
ISSI  
JUNE 2000  
FEATURES  
DESCRIPTION  
• TTL compatible inputs and outputs  
• Refresh Interval: 512 cycles/8 ms  
TheISSI IS41C16256andIS41LV16256are262,144x16-bit  
high-performanceCMOSDynamicRandomAccessMemory. Both  
productsofferacceleratedcycleaccessEDOPageMode. EDO  
PageModeallows512randomaccesseswithinasinglerowwith  
accesscycletimeasshortas10nsper16-bitword.TheByteWrite  
control, of upper and lower byte, makes the IS41C16256 and  
IS41LV16256idealforusein16and32-bitwidedatabussystems.  
• Refresh Mode : RAS-Only, CAS-before-RAS  
(CBR), and Hidden  
• JEDEC standard pinout  
• Single power supply  
5V ± 10% (IS41C16256)  
ThesefeaturesmaketheIS41C16256andIS41LV1626 ideally  
suited for high band-width graphics, digital signal processing,  
high-performancecomputingsystems,andperipheralapplications.  
3.3V ± 10% (IS41LV16256)  
• Byte Write and Byte Read operation via two CAS  
• Extended Temperature Range -30oC to 85oC  
• Industrail Temperature Range -40oC to 85oC  
The IS41C16256 and IS41LV16256 are packaged in 40-pin  
400-mil SOJ and TSOP (Type II).  
KEY TIMING PARAMETERS  
Parameter  
-35  
-50  
50  
14  
25  
20  
90  
-60  
60  
Unit  
ns  
Max. RAS Access Time (tRAC)  
Max. CAS Access Time (tCAC)  
Max. Column Address Access Time (tAA)  
Min. EDO Page Mode Cycle Time (tPC)  
Min. Read/Write Cycle Time (tRC)  
35  
10  
18  
12  
60  
15  
ns  
30  
ns  
25  
ns  
110  
ns  
PIN CONFIGURATIONS  
40-Pin TSOP (Type II)  
40-Pin SOJ  
VCC  
I/O0  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
VCC  
I/O4  
I/O5  
I/O6  
I/O7  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
GND  
I/O15  
I/O14  
I/O13  
I/O12  
GND  
I/O11  
I/O10  
I/O9  
VCC  
I/O0  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
VCC  
I/O4  
I/O5  
I/O6  
I/O7  
NC  
1
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
GND  
I/O15  
I/O14  
I/O13  
I/O12  
GND  
I/O11  
I/O10  
I/O9  
I/O8  
NC  
2
PIN DESCRIPTIONS  
3
4
A0-A8 Address Inputs  
5
I/O0-15 Data Inputs/Outputs  
6
7
WE  
Write Enable  
8
OE  
Output Enable  
9
I/O8  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
RAS  
UCAS  
LCAS  
Vcc  
Row Address Strobe  
UpperColumnAddressStrobe  
LowerColumnAddressStrobe  
Power  
NC  
NC  
WE  
RAS  
NC  
A0  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
NC  
NC  
LCAS  
UCAS  
OE  
LCAS  
UCAS  
OE  
WE  
RAS  
NC  
A8  
A8  
A0  
A7  
A7  
GND  
NC  
Ground  
A1  
A6  
A1  
A6  
No Connection  
A2  
A5  
A2  
A5  
A3  
A4  
A3  
A4  
VCC  
GND  
VCC  
GND  
ISSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best possible product. We assume no responsibility for any  
errors which may appear in this publication. © Copyright 2000, Integrated Silicon Solution, Inc.  
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774  
Rev. J  
1
06/29/00  
1234567...19

中文翻译

下载PDF

与IS41C16256-50TI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IS41C16256-50TI-TR ISSI

获取价格

 		暂无描述
IS41C16256-60K ICSI

获取价格

 		256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C16256-60K ISSI

获取价格

 		256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C16256-60KI ISSI

获取价格

 		256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C16256-60KI ICSI

获取价格

 		EDO DRAM, 256KX16, 60ns, CMOS, PDSO40,
IS41C16256-60KI-TR ISSI

获取价格

 		DRAM
IS41C16256-60T ISSI

获取价格

 		256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C16256-60T ICSI

获取价格

 		256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C16256-60TI ISSI

获取价格

 		256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C16256-60TI-TR ISSI

获取价格

 		DRAM

与IS41C16256-50TI相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证