是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | SOJ, SOJ40,.44 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.8 | 最长访问时间: | 60 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-J40 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | EDO DRAM | 内存宽度: | 16 |
端子数量: | 40 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 256KX16 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOJ | 封装等效代码: | SOJ40,.44 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 512 | 自我刷新: | NO |
最大待机电流: | 0.001 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.17 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS41C16256-60KI | ISSI |
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256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE | |
IS41C16256-60KI | ICSI |
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EDO DRAM, 256KX16, 60ns, CMOS, PDSO40, | |
IS41C16256-60KI-TR | ISSI |
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DRAM | |
IS41C16256-60T | ISSI |
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256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE | |
IS41C16256-60T | ICSI |
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256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE | |
IS41C16256-60TI | ISSI |
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256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE | |
IS41C16256-60TI-TR | ISSI |
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DRAM | |
IS41C16256C | ISSI |
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4Mb DRAM WITH EDO PAGE MODE | |
IS41C16256C-35KI | ISSI |
获取价格 |
EDO DRAM, 256KX16, 35ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, SOJ-40 | |
IS41C16256C-35TLI | ISSI |
获取价格 |
EDO DRAM, 256KX16, 35ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-40 |