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IS41C16256-25K-TR

更新时间： 2024-10-02 14:51:39
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 动态存储器
页数 文件大小 规格书
22页 177K
描述
DRAM

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IS41C16256-25K-TR 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.75
Base Number Matches：1

IS41C16256-25K-TR 数据手册

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®
IS41C16256  
IS41LV16256  
256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM  
WITH EDO PAGE MODE  
ISSI  
NOVEMBER 2005  
FEATURES  
DESCRIPTION  
• TTL compatible inputs and outputs  
TheISSI ISꢁ1C1ꢂ25ꢂandISꢁ1LV1ꢂ25ꢂare2ꢂ2,1ꢁꢁx1ꢂ-bit  
high-performanceCMOSDynamicRandomAccessMemory. Both  
productsofferacceleratedcycleaccessEDOPageMode. EDO  
PageModeallows512randomaccesseswithinasinglerowwith  
accesscycletimeasshortas10nsper1ꢂ-bitword.TheByteWrite  
control, of upper and lower byte, makes the ISꢁ1C1ꢂ25ꢂ and  
ISꢁ1LV1ꢂ25ꢂidealforusein1ꢂand32-bitwidedatabussystems.  
• Refresh Interval: 512 cycles/8 ms  
• Refresh Mode : RAS-Only, CAS-before-RAS (CBR),  
andHidden  
• JEDECstandardpinout  
• Singlepowersupply  
5V 10ꢀ (ISꢁ1C1ꢂ25ꢂ)  
ThesefeaturesmaketheISꢁ1C1ꢂ25ꢂandISꢁ1LV1ꢂ2ꢂ ideally  
suited for high band-width graphics, digital signal processing,  
high-performancecomputingsystems,andperipheralapplications.  
3.3V 10ꢀ (ISꢁ1LV1ꢂ25ꢂ)  
• Byte Write and Byte Read operation via two CAS  
• Extended Temperature Range -30oC to 85oC  
• Industrial Temperature Range -ꢁ0oC to 85oC  
The ISꢁ1C1ꢂ25ꢂ and IS41LV16256 are packaged in ꢁ0-pin  
ꢁ00-mil SOJ and TSOP (Type II).  
KEY TIMING PARAMETERS  
Parameter  
-25  
-35  
-50  
-60  
Unit  
(5V only)  
Max. RAS Access Time (tRAC)  
25  
35  
10  
18  
12  
ꢂ0  
50  
1ꢁ  
25  
20  
90  
ꢂ0  
15  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Max. CAS Access Time (tCAC)  
10  
12  
10  
ꢁ5  
Max. Column Address Access Time (tAA)  
Min. EDO Page Mode Cycle Time (tPC)  
Min. Read/Write Cycle Time (tRC)  
30  
25  
110  
PIN CONFIGURATIONS  
40-Pin TSOP (Type II)  
40-Pin SOJ  
VCC  
I/O0  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
VCC  
I/O4  
I/O5  
I/O6  
I/O7  
1
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
GND  
I/O15  
I/O14  
I/O13  
I/O12  
GND  
I/O11  
I/O10  
I/O9  
VCC  
I/O0  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
VCC  
I/O4  
I/O5  
I/O6  
I/O7  
NC  
1
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
GND  
2
2
I/O15  
I/O14  
I/O13  
I/O12  
GND  
I/O11  
I/O10  
I/O9  
I/O8  
NC  
PIN DESCRIPTIONS  
3
3
4
4
A0-A8 Address Inputs  
5
5
6
I/O0-15 Data Inputs/Outputs  
6
7
7
WE  
Write Enable  
8
8
9
OE  
Output Enable  
9
10  
I/O8  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
RAS  
UCAS  
LCAS  
Vcc  
Row Address Strobe  
UpperColumnAddressStrobe  
LowerColumnAddressStrobe  
Power  
NC  
NC  
WE  
RAS  
NC  
A0  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
NC  
NC  
LCAS  
UCAS  
OE  
LCAS  
UCAS  
OE  
WE  
RAS  
NC  
A8  
A8  
A0  
A7  
A7  
GND  
NC  
Ground  
A1  
A6  
A1  
A6  
No Connection  
A2  
A5  
A2  
A5  
A3  
A4  
A3  
A4  
VCC  
GND  
VCC  
GND  
Copyright © 2005 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time  
without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to  
obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.  
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774  
1
Rev. K  
10/28/05  
1234567...22

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IS41C16256-25T ICSI

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 		256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
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 		256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
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