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Datasheet > 暂无类别数据> IS41C16128-35TI
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IS41C16128-35TI

更新时间： 2024-01-25 00:19:31
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
21页 222K
描述
128K x 16 (2-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

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IS41C16128-35TI 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44/40针数：44
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.92
访问模式：FAST PAGE WITH EDO最长访问时间：35 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G40JESD-609代码：e0
长度：18.415 mm内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：EDO DRAM内存宽度：16
湿度敏感等级：3功能数量：1
端口数量：1端子数量：40
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP40/44,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：512
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：NO
最大待机电流：0.001 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.23 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：11.8364 mmBase Number Matches：1

IS41C16128-35TI 数据手册

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®
IS41C16128  
128K x 16 (2-MBIT) DYNAMIC RAM  
WITH EDO PAGE MODE  
ISSI  
AUGUST 1998  
DESCRIPTION  
FEATURES  
TheISSIIS41C16128isa131,072x16-bithigh-performance  
CMOSDynamicRandomAccessMemory.TheIS41C16128  
offers an accelerated cycle access called EDO Page Mode.  
EDO Page Mode allows 256 random accesses within a  
single row with access cycle time as short as 12 ns per 16-  
bit word. The Byte Write control, of upper and lower byte,  
makes the IS41C16128 ideal for use in 16-, 32-bit wide data  
bus systems.  
• Extended Data-Out (EDO) Page Mode  
access cycle  
• TTL compatible inputs and outputs  
• Refresh Interval: 512 cycles/8 ms  
• Refresh Mode : RAS-Only, CAS-before-RAS  
(CBR), and Hidden  
• JEDEC standard pinout  
These features make the IS41C16128 ideally suited for  
high band-width graphics, digital signal processing,  
high-performance computing systems, and peripheral  
applications.  
• Single +5V ± 10% power supply  
• Byte Write and Byte Read operation via two CAS  
• Available in 40-pin SOJ and TSOP (Type II)  
• Industrial temperature available  
The IS41C16128 is packaged in a 40-pin 400-mil SOJ and  
TSOP (Type II).  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
OE  
WE  
WE  
CONTROL  
LOGICS  
OE  
CONTROL  
LOGIC  
CAS  
CLOCK  
GENERATOR  
LCAS  
UCAS  
CAS  
WE  
DATA I/O BUS  
RAS  
CLOCK  
RAS  
GENERATOR  
COLUMN DECODERS  
SENSE AMPLIFIERS  
REFRESH  
COUNTER  
I/O0-I/O15  
MEMORY ARRAY  
131,072 x 16  
ADDRESS  
BUFFERS  
A0-A8  
This document contains PRELIMINARY data. ISSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best possible product. We  
assume no responsibility for any errors which may appear in this publication. © Copyright 1998, Integrated Silicon Solution, Inc.  
Integrated Silicon Solution, Inc.  
PRELIMINARY DR002-1D  
1
08/20/98  
1234567...21

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IS41C16128-40K ISSI

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 		128K x 16 (2-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C16128-40KI ISSI

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