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IS25C32-3TI PDF预览

IS25C32-3TI

更新时间： 2024-01-29 02:40:03
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 77K
描述
EEPROM, 4KX8, Serial, CMOS, PDSO14, TSSOP-14

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IS25C32-3TI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSSOP包装说明：TSSOP,
针数：14Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.92最大时钟频率 (fCLK)：2.1 MHz
JESD-30 代码：R-PDSO-G14JESD-609代码：e0
长度：5 mm内存密度：32768 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：14
字数：4096 words字数代码：4000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：4KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：SERIAL峰值回流温度（摄氏度）：240
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
串行总线类型：SPI最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：2.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：4.4 mm最长写入周期时间 (tWC)：10 ms
Base Number Matches：1

IS25C32-3TI 数据手册

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®
IS25C32-2/3  
IS25C64-2/3  
ISSI  
65,536-BIT SPI SERIAL ELECTRICALLY  
ERASABLE PROM  
ADVANCE INFORMATION  
MAY 2001  
DESCRIPTION  
FEATURES  
• 2.1 MHz Clock Rate  
• Low power CMOS  
The IS25C64-2 is a 1.8V (1.8V-5.5V) 64K-bit (8192x8) electri-  
cally Erasable PROM, IS25C64-3 is a 2.5V (2.5V-5.5V) 64K bit  
(8192x8)ElectricallyErasalePROM, IS25C32-2isa1.8V  
(1.8V-5.5V)32K-bit(4096x8)ElectricallyErasablePROM,  
IS25C32-3isa2.5V(2.5V-5.5V)32K-bit(4096x8)Electrically  
ErasablePROM.  
— Active current less than 3.0 mA (5.5V)  
— Standby current less than 10 µA (5.5V)  
• Low-voltage Operation  
— IS25C64-3 & IS25C32-3 (V CC = 2.5V to 5.5V)  
— IS25C64-2 & IS25C32-2 (V CC = 1.8V to 5.5V)  
• Block Write Protection  
TheIS25Cxx(IS25C64-2, IS25C64-3, IS25C32-2and  
IS25C32-3) family is a low-cost and low volatage/low power SPI  
Serial EEPROM. It is fabricated using ISSI's advanced CMOS  
EEPROM technology and provides a low power and low voltage  
operationforlowpowerindustrialandcommercialapplication.  
The IS25Cxx family is available in 8 pin PDIP, 8 Pin SOIC, and  
14 pin TSSOP packages.  
— Protect 1/4, 1/2, or Entire Array  
32 byte page write mode  
• Serial Peripheral Interface (SPI) Compatible  
— Supports SPI Modes 0 (0,0) and 3 (1,1)  
• Self timed write cycles (5 ms Typical)  
• High-reliability  
•
— Endurance: 1 million cycles per byte  
— Data retention: 100 years  
— ESD protection >4000V  
The IS25C64 is enabled through the Chip Select pin (CS) and  
accessedviaa3-wireinterfaceconsistingofSerialDataInput  
(SI), Serial Data Output (SO), and Serial Clock (SCK). All  
programmingcyclesarecompletelyself-timed,andnoseparate  
ERASE cycle is required before WRITE.  
• Industrial temperature available  
•
8-pin PDIP or SOIC, and 14-pin TSSOP Packages  
BLOCK WRITE protection is enabled by programming the  
statusregisterwithoneoffourblocksofwriteprotection.  
Separateprogramenableandprogramdisableinstructionsare  
providedforadditionaldataprotection.Hardwaredataprotec-  
tionisprovidedviatheWPpintoprotectagainstinadvertent  
write attempts to the status register. The HOLDpin may be  
PRODUCT OFFERING OVERVIEW  
Part No  
Voltage  
1.8V-5.5V  
2.5V-5.5V  
1.8V-5.5V  
2.5V-5.5V  
Speed  
Standby ICC  
< 5 µA  
Read ICC  
1 mA  
Write ICC  
3 mA  
Temperature  
IS25C64-2  
IS25C64-3  
IS25C32-2  
IS25C32-3  
100 KHz  
400 KHz  
100 KHz  
400 KHz  
C,I  
C,I  
C,I  
C,I  
< 10 µA  
< 5 µA  
1 mA  
3 mA  
1 mA  
3 mA  
< 10 µA  
1 mA  
3 mA  
This document contains ADVANCE INFORMATION data. ISSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best  
possible product. We assume no responsibility for any errors which may appear in this publication. © Copyright 2000, Integrated Silicon Solution, Inc.  
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774  
1
ADVANCE INFORMATION Rev. 00A  
06/01/01  
1234567...12

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