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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLI530G-003 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRLI530G-003PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRLI530G-004 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRLI530G-005 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRLI530G-005PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRLI530G-006 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRLI530G-006PBF | VISHAY |
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9.7A, 100V, 0.16ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN |
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| IRLI530G-009 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRLI530G-009PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRLI530G-010 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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