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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLI530G-019PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRLI530G-024PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRLI530G-029PBF | VISHAY |
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9.7A, 100V, 0.16ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN |
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| IRLI530G-030PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRLI530G-031 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRLI530G-031PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRLI530GPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET ( VDSS=100V , RDS(on)=0.1 |
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| IRLI530N | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRLI530N-002 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRLI530N-002PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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