5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLI530G-030PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRLI530G-031 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRLI530G-031PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRLI530GPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET ( VDSS=100V , RDS(on)=0.1 |
|
| IRLI530N | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRLI530N-002 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRLI530N-002PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRLI530N-003 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRLI530N-003PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRLI530N-004 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
