Datasheet > IRKT72/06P

IRKT72/06P

更新时间： 2024-11-25 14:22:03

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
10页	280K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 75000mA I(T), 600V V(RRM),

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRKT72/06P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.23	最大直流栅极触发电流：	270 mA
最大直流栅极触发电压：	2.5 V	快速连接描述：	2G-2GR
螺丝端子的描述：	A-K-AK	最大维持电流：	250 mA
最大漏电流：	15 mA	通态非重复峰值电流：	1940 A
最大通态电流：	75000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	重复峰值反向电压：	600 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

IRKT72/06P 数据手册

Bulletin I27211 03/06

IRK.71, .91..PbF SERIES

ADD-A-pak^TMGEN V Power Modules

THYRISTOR/ DIODE and

THYRISTOR/ THYRISTOR

Features

Benefits

High Voltage

Up to 1600V

IndustrialStandardPackage

Thickcopperbaseplate

UL E78996 approved

3500V_RMSisolatingvoltage

TOTALLYLEAD-FREE

Full compatible TO-240AA

High Surge capability

Easy Mounting on heatsink

Al₂0₃DBC insulator

Heatsink grounded

75 A

95 A

Mechanical Description

Theelectricalterminalsaresecuredagainstaxialpull-out:

they are fixed to the module housing via a click-stop

feature already tested and proved as reliable on other IR

modules.

The Generation V of Add-A-pak module combine the

excellent thermal performance obtained by the usage

of Direct Bonded Copper substrate with superior

mechanical ruggedness, thanks to the insertion of a

solidCopperbaseplateatthebottomsideofthedevice.

The Cu baseplate allow an easier mounting on the

majority of heatsink with increased tolerance of surface

roughness and improve thermal spread.

Electrical Description

These modules are intended for general purpose high

voltageapplicationssuchashighvoltageregulatedpower

supplies, lighting circuits, temperature and motor speed

control circuits, UPS and battery charger.

The Generation V of AAP module is manufactured

without hard mold, eliminating in this way any possible

direct stress on the leads.

Major Ratings and Characteristics

Parameters IRK.71

IRK.91

Units

I_T(AV)or I_F(AV)

@85°C

I_O(RMS)(*)

165

210

I_TSM@50Hz

I_FSM@60Hz

1665

1740

1785

1870

I t @50Hz

13.86

15.91

KA s

@60Hz

12.56

138.6

14.52

159.1

KA s

I √t

KA √s

V_RRMrange

T_STG

400to1600

- 40 to 125

-40to125

^oC

T_J

(*) As AC switch.

www.irf.com

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与IRKT72/06P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRKT72/06PBF	VISHAY	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 165A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 2 Element, TO-240AA,
IRKT72/06S90	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 165A I(T)RMS, 70000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 2 Elem
IRKT72/06S90PBF	VISHAY	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 165A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 2 Element, TO-240AA,
IRKT72/08A	INFINEON	获取价格	ADD-A-pak GEN V Power Modules THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR
IRKT72/08A	VISHAY	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 75000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Element, TO-240AA,
IRKT72/08APBF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 117.75A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Element, TO-240
IRKT72/08AS90	INFINEON	获取价格	ADD-A-pak GEN V Power Modules THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR
IRKT72/08AS90	VISHAY	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 75000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Element, TO-240AA,
IRKT72/08P	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 75000mA I(T), 800V V(RRM),
IRKT72/08S90PBF	VISHAY	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 165A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Element, TO-240AA,

与IRKT72/06P相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

40
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

32
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

60
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

56

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRKT72/06P

IRKT72/06P 技术参数

IRKT72/06P 数据手册

与IRKT72/06P相关器件

与IRKT72/06P相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRKT72/06P

IRKT72/06P 技术参数

IRKT72/06P 数据手册

与IRKT72/06P相关器件

与IRKT72/06P相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？