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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRH7450SE
IRH7450SE PDF预览

IRH7450SE

更新时间： 2024-01-05 12:06:21
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
4页 108K
描述
TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=0.51ohm, Id=11A)

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IRH7450SE 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.75
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：500 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (ID)：12 A
最大漏源导通电阻：0.57 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-204AEJESD-30 代码：O-MBFM-P2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：48 A表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRH7450SE 数据手册

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Previous Datasheet  
IRH7450SE Device  
Electrical Characteristics @ Tj = 25°C (Unless Otherwise Specified)  
Index  
Next Data Sheet  
Pre-Radiation  
Parameter  
Min. Typ. Max. Units  
Test Conditions  
BV  
Drain-to-Source Breakdown Voltage  
500  
—
—
—
—
V
V
= 0V, I = 1.0 mA  
D
DSS  
GS  
V/°C Reference to 25°C, I = 1.0 mA  
∆BV  
/∆T  
Temperature Coefficient of Breakdown  
Voltage  
0.6  
DSS  
J
D
R
Static Drain-to-Source  
On-State Resistance  
Gate Threshold Voltage  
ForwardTransconductance  
Zero Gate Voltage Drain Current  
—
—
2.5  
3
—
—
—
—
—
—
—
—
0.51  
0.57  
4.5  
—
50  
250  
V
V
= 12V, I =7.0A  
GS D  
DS(on)  
„
Ω
V
S ( )  
= 12V, I = 11A  
GS D  
V
g
V
V
= V , I = 1.0 mA  
GS(th)  
fs  
DS  
DS  
GS  
D
Ω
> 15V, I  
= 7.0A „  
DS  
I
V
= 0.8 x Max Rating,V  
= 0V  
DSS  
DS GS  
µA  
V
= 0.8 x Max Rating  
DS  
V
= 0V, T = 125°C  
GS  
J
I
Gate-to-Source Leakage Forward  
Gate-to-Source Leakage Reverse  
Total Gate Charge  
Gate-to-Source Charge  
Gate-to-Drain (“Miller”) Charge  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
Internal Drain Inductance  
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
8.7  
100  
-100  
180  
45  
105  
45  
190  
190  
130  
—
V
= 20V  
GS  
GSS  
nA  
nC  
I
V
GS  
= -20V  
GSS  
Q
Q
Q
V
=12V, I = 11A  
GS D  
V = Max. Rating x 0.5  
DS  
g
gs  
gd  
t
V
= 250V, I =11A,  
d(on)  
DD D  
t
R = 2.35Ω  
G
r
ns  
t
d(off)  
t
f
Measured from the  
Modified MOSFET  
symbol showing the  
internal inductances.  
L
D
S
drain lead, 6mm (0.25  
in.) from package to  
center of die.  
nH  
pF  
Measured from the  
source lead, 6mm  
(0.25 in.) from package  
to source bonding pad.  
L
Internal Source Inductance  
—
8.7  
—
C
C
C
Input Capacitance  
Output Capacitance  
ReverseTransfer Capacitance  
—
—
—
4000  
330  
52  
—
—
—
V
= 0V, V  
DS  
f = 1.0 MHz  
= 25V  
iss  
oss  
rss  
GS  
Source-Drain Diode Ratings and Characteristics  
Parameter  
Min. Typ. Max. Units  
Test Conditions  
I
I
Continuous Source Current (Body Diode)  
Pulse Source Current (Body Diode)   
—
—
—
—
11  
44  
Modified MOSFET symbol showing the  
integral reverse p-n junction rectifier.  
S
SM  
A
V
t
Q
Diode Forward Voltage  
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
—
—
—
—
—
—
1.6  
1100 ns  
16 µC  
V
T = 25°C, I = 11A, V  
= 0V „  
j
SD  
rr  
RR  
S
GS  
T = 25°C, I =11 A, di/dt ≤ 100A/µs  
j
F
V
≤ 50V „  
DD  
t
ForwardTurn-OnTime  
Intrinsic turn-on time is negligible.Turn-on speed is substantially controlled by L + L .  
S D  
on  
Thermal Resistance  
Parameter  
Min. Typ. Max. Units  
Test Conditions  
R
R
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient  
—
—
—
—
0.83  
30  
thJC  
thJA  
K/W ꢀ  
R
Case-to-Sink  
—
0.12  
—
Typical Socket Mount  
thCS  
To Order  
1234

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