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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFU310B
IRFU310B PDF预览

IRFU310B

更新时间： 2024-11-23 22:32:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 648K
描述
400V N-Channel MOSFET

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IRFU310B 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-251包装说明：IPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.74Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：100 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：400 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.7 A
最大漏极电流 (ID)：1.7 A最大漏源导通电阻：3.4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-251
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：6 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFU310B 数据手册

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November 2001  
IRFR310B / IRFU310B  
400V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switch mode power supplies and  
electronic lamp ballasts based on half bridge.  
•
•
•
•
•
•
1.7A, 400V, R  
= 3.4Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 7.7 nC)  
Low Crss ( typical 6.0 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
D
●
◀
▲
●
●
G!  
I-PAK  
IRFU Series  
D-PAK  
IRFR Series  
G
S
G D S  
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
IRFR310B / IRFU310B  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
400  
1.7  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
1.1  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
6.0  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
100  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
1.7  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
2.6  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
5.5  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
2.5  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
26  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.21  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
J
stg  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
4.76  
50  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
110  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B, November 2001  
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IRFU310B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
U310 FAIRCHILD

功能相似

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FQU3N40 FAIRCHILD

功能相似

 400V N-Channel MOSFET

与IRFU310B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Power MOSFET
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 		Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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