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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | PLASTIC, DPAK-3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.7 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 62 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (ID)： | 11 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.175 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 44 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR9024NCTRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFR9024NPBF | KERSEMI |
获取价格 |
ULTRA LOW ON-ORSISTANCE |
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| IRFR9024NPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(on) = |
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| IRFR9024NTR | INFINEON |
获取价格 |
Ultra Low On-Resistance |
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| IRFR9024NTR | UMW |
获取价格 |
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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| IRFR9024NTRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Ultra Low On-Resistance |
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| IRFR9024NTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Advanced Process Technology |
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| IRFR9024PBF | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFR9024PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFR9024PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -60V , RDS(on) = |
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