5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR9024NCPBF | KERSEMI |
获取价格 |
ULTRA LOW ON-RESISTANCE |
|
| IRFR9024NCPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET |
|
| IRFR9024NCTRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFR9024NCTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFR9024NCTRR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFR9024NCTRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFR9024NPBF | KERSEMI |
获取价格 |
ULTRA LOW ON-ORSISTANCE |
|
| IRFR9024NPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(on) = |
|
| IRFR9024NTR | INFINEON |
获取价格 |
Ultra Low On-Resistance |
|
| IRFR9024NTR | UMW |
获取价格 |
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
