IRFR9014TR

更新时间： 2024-10-02 05:39:31

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威世 - VISHAY		/
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描述
Power MOSFET

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IRFR9014TR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.08
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.1 A
最大漏极电流 (ID)：	5.1 A	最大漏源导通电阻：	0.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	25 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFR9014TR 数据手册

IRFR9014, IRFU9014, SiHFR9014, SiHFU9014

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

- 60

Available

• Repetitive Avalanche Rated

R_DS(on)(Ω)

V_GS= - 10 V

0.50

RoHS*

• Surface Mount (IRFR9014/SiHFR9014)

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

• Straight Lead (IRFU9014/SiHFU9014)

_gs(nC)

_gd(nC)

3.8

• Available in Tape and Reel

5.1

• P-Channel

Configuration

Single

• Fast Switching

• Lead (Pb)-free Available

DESCRIPTION

DPAK

IPAK

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

(TO-252)

(TO-251)

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

P-Channel MOSFET

are possible in typical surface mount applications.

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR9014TRLPbF^a

SiHFR9014TL-E3^a

IRFR9014TRL^a

SiHFR9014TL^a

DPAK (TO-252)

IRFR9014TRPbF^a

SiHFR9014T-E3^a

IRFR9014TR^a

IPAK (TO-251)

IRFU9014PbF

SiHFU9014-E3

IRFU9014

IRFR9014PbF

SiHFR9014-E3

IRFR9014

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFR9014

SiHFR9014T^a

SiHFU9014

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

- 60

V_GS

_C= 25 °C

- 5.1

- 3.2

- 20

Continuous Drain Current

_GSat 5.0 V

I_D

T_C=100°C

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.20

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

0.020

140

E_AS

I_AR

- 5.1

2.5

E_AR

T_C= 25 °C

P_D

T_A= 25 °C

2.5

dV/dt

- 4.5

- 55 to + 150

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

°C

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

for 10 s

260^d

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= - 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 6.3 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= - 5.1 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ - 6.7 A, dI/dt ≤ 90 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91277

S-81394-Rev. A, 21-Jul-08

www.vishay.com

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IRFR9014TRLA	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR9014TRLPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR9014TRLPBFA	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR9014TRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFR9014TRPBFA	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR9014TRR	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFR9014TRRPBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta

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