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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFR9015-T1 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 60V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFR9020 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFR9020 | INFINEON |
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REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS |
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| IRFR9020 | KERSEMI |
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Power MOSFET |
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| IRFR9020, IRFU9020, SiHFR9020, SiHFU9020 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFR9020PBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFR9020PBF | KERSEMI |
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Power MOSFET |
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| IRFR9020-T1 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 9.9A I(D), 50V, 0.29ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFR9020TR | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFR9020TRA | KERSEMI |
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Power MOSFET |
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