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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFI9630G-031 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI9630G-031PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI9630GPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFI9630GPBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRFI9634G | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFI9634G | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-250V, Rds(on)=1.0ohm, Id=-4.1A) |
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| IRFI9634GPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFI9634GPBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRFI9640 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.1A) |
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| IRFI9640G | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.1A) |
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采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
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