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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFI9640 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.1A) |
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| IRFI9640G | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.1A) |
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| IRFI9640G | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFI9640G-002PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI9640G-003 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI9640G-003PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI9640G-004 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI9640G-004PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI9640G-004PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFI9640G-005 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
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