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IRFI9640G

更新时间： 2024-02-09 03:16:26
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 1685K
描述
Power MOSFET

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IRFI9640G 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.05Is Samacsys：N
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：650 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.1 A
最大漏极电流 (ID)：6.1 A最大漏源导通电阻：0.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：40 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：24 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFI9640G 数据手册

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IRFI9640G, SiHFI9640G  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
• Isolated Package  
- 200  
• High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;  
f = 60 Hz)  
Available  
RDS(on) (Ω)  
VGS = - 10 V  
0.50  
RoHS*  
• Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm  
• P-Channel  
• Dynamic dV/dt Rating  
• Low Thermal Resistance  
• Lead (Pb)-free Available  
Qg (Max.) (nC)  
44  
7.1  
COMPLIANT  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
27  
Configuration  
Single  
S
DESCRIPTION  
TO-220 FULLPAK  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
G
The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional  
insulating hardware in commercial-industrial applications.  
The molding compound used provides a high isolation  
capability and a low thermal resistance between the tab and  
external heatsink. This isolation is equivalent to using a 100  
micron mica barrier with standard TO-220 product. The  
FULLPAK is mounted to a heatsink using a single clip or by  
a single screw fixing.  
D
S
D
G
P-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-220 FULLPAK  
IRFI9640GPbF  
SiHFI9640G-E3  
IRFI9640G  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFI9640G  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
- 200  
20  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
V
VGS  
T
C = 25 °C  
- 6.1  
- 3.9  
- 24  
Continuous Drain Current  
VGS at - 10 V  
ID  
TC =100°C  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
Linear Derating Factor  
0.32  
650  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
- 6.1  
4.0  
EAR  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
T
C = 25 °C  
PD  
40  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
- 5.0  
- 55 to + 150  
300d  
10  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
°C  
for 10 s  
6-32 or M3 screw  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = - 50 V, starting TJ = 25 °C, L = 26 mH, RG = 25 Ω, IAS = - 6.1 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ - 11 A, dI/dt ≤ 150 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 150 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91169  
S-Pending-Rev. A, 16-Jun-08  
www.vishay.com  
1
WORK-IN-PROGRESS  
12345678

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IRFI9640G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFI9640GPBF VISHAY

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFI9640G-002PBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRFI9640G-003 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRFI9640G-003PBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRFI9640G-004 INFINEON

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