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IRFI9634G

更新时间： 2024-02-03 12:55:52

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威世 - VISHAY		/
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8页	850K
描述
Power MOSFET

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IRFI9634G 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	TO-220, FULL PACK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.06	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	520 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.1 A	最大漏极电流 (ID)：	4.1 A
最大漏源导通电阻：	1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	35 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	16 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFI9634G 数据手册

IRFI9634G, SiHFI9634G

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Advanced Process Technology

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

- 250

• Dynamic dV/dt Rating

• 150 °C Operating Temperature

• Fast Switching

RoHS

_DS(on)(Ω)

V_GS= - 10 V

1.0

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

8.0

_gs(nC)

_gd(nC)

• P-Channel

• Fully Avalanche Rated

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

TO-220 FULLPAK

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional

insulating hardware in commercial-industrial applications.

The moulding compound used provides a high isolation

capability and a low thermal resistance between the tab and

external heatsink. This isolation is equivalent to using a 100

micron mica barrier with standard TO-220 product. The

FULLPAK is mounted to a heatsink using a single clip or by

a single screw fixing.

P-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220 FULLPAK

IRFI9634GPbF

SiHFI9634G-E3

IRFI9634G

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFI9634G

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

- 250

T_C= 25 °C

T_C=100°C

- 4.1

- 2.6

- 31

Continuous Drain Current

V_GSat - 10 V

I_D

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.16

520

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

- 4.1

3.5

E_AR

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

- 5.0

- 55 to + 150

300^d

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

°C

for 10 s

lbf · in

N · m

Mounting Torque

6-32 or M3 screw

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 62 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= - 4.1 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ - 4.1 A, dI/dt ≤ - 640 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91168

S-Pending-Rev. A, 23-Jun-08

www.vishay.com

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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IRFI9634GPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFI9634GPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFI9640	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.1A)
IRFI9640G	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.1A)
IRFI9640G	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFI9640G-002PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRFI9640G-003	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRFI9640G-003PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRFI9640G-004	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRFI9640G-004PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

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