是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-220AB |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.61 | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 200 V |
最大漏极电流 (ID): | 4.3 A | 最大漏源导通电阻: | 0.8 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Copper (Sn/Cu) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFI9630G-031 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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IRFI9630G-031PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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IRFI9630GPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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IRFI9630GPBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET |
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IRFI9634G | VISHAY |
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Power MOSFET |
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IRFI9634G | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-250V, Rds(on)=1.0ohm, Id=-4.1A) |
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IRFI9634GPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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IRFI9634GPBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET |
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IRFI9640 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.1A) |
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IRFI9640G | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.1A) |
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