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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-262 | 包装说明： | I2PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.61 | 雪崩能效等级（Eas）： | 450 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 400 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A | 最大漏极电流 (ID)： | 10 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.54 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 134 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFI740BTU | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
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| IRFI740G | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=5.4A) |
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| IRFI740G | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFI740G-107PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFI740GLC | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFI740GLC | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=5.7A) |
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| IRFI740GLCPBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRFI740GLCPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFI740GPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFI740GPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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