IRFI740GLC

更新时间： 2024-11-30 05:39:31

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	1326K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFI740GLC 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.04
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	310 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	400 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.7 A
最大漏极电流 (ID)：	5.7 A	最大漏源导通电阻：	0.55 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	23 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFI740GLC 数据手册

IRFI740GLC, SiHFI740GLC

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Ultra Low Gate Charge

• Reduced Gate Drive Requirement

• Enhanced 30 V V_GSRating

• Isolated Package

400

Available

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.55

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

COMPLIANT

• High Voltage Isolation = 2.5 kV_RMS(t = 60 s,

f = 60 Hz)

• Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm

• Repetitive Avalanche Rated

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

• Lead (Pb)-free Available

TO-220 FULLPAK

DESCRIPTION

This new series of low charge Power MOSFETs achieve

significantly lower gate charge over conventional MOSFETs.

Utilizing advanced Power MOSFETs technology, the device

improvements allow for reduced gate drive requirements,

faster switching speeds and increased total system savings.

These device improvements combined with the proven

ruggedness and reliability that are characteristic of Power

MOSFETs offer the designer a new standard in power

transistors for switching applications.

N-Channel MOSFET

The TO-220 Fullpak eliminates the need for additional

insulating hardware. The moulding compound used provides

a high isolation capability and low thermal resistance

between the tab and external heatsink.

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220 FULLPAK

IRFI740GLCPbF

SiHFI740GLC-E3

IRFI740GLC

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFI740GLC

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

SYMBOL

LIMIT

400

UNIT

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

5.7

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

3.6

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.32

310

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

5.7

E_AR

4.0

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

4.0

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

lbf · in

N · m

Mounting Torque

6-32 or M3 screw

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 16 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 5.7 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 10 A, dI/dt ≤ 120 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91155

S-Pending-Rev. A, 16-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与IRFI740GLC相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFI740GLCPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFI740GLCPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFI740GPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFI740GPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFI7440GPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 95A I(D), 40V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFI7446GPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IRFI744G	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=450V, Rds(on)=0.63ohm, Id=4.9A)
IRFI744G	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFI744GPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFI744GPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET

与IRFI740GLC相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

53
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

42
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

70
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

66

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFI740GLC

IRFI740GLC 技术参数

IRFI740GLC 数据手册

与IRFI740GLC相关器件

与IRFI740GLC相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFI740GLC

IRFI740GLC 技术参数

IRFI740GLC 数据手册

与IRFI740GLC相关器件

与IRFI740GLC相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？