IRFI744GPBF

更新时间： 2024-12-01 05:39:31

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Power MOSFET

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IRFI744GPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	LEAD FREE, TO-220, FULL PACK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.07
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	130 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	450 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.9 A
最大漏极电流 (ID)：	4.9 A	最大漏源导通电阻：	0.63 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFI744GPBF 数据手册

IRFI744G, SiHFI744G

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Isolated Package

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

450

Available

• High Voltage Isolation = 2.5 kV_RMS(t = 60 s;

f = 60 Hz)

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.63

RoHS*

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

• Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8 mm

• Dynamic dV/dt Rating

_gs(nC)

_gd(nC)

• Low Thermal Resistance

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

DESCRIPTION

TO-220 FULLPAK

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional

insulating hardware in commercial-industrial applications.

The molding compound used provides a high isolation

capability and a low thermal resistance between the tab and

external heatsink. This isolation is equivalent to using a 100

micron mica barrier with standard TO-220 product. The

FULLPAK is mounted to a heatsink using a single clip or by

a single screw fixing.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220 FULLPAK

IRFI744GPbF

SiHFI744G-E3

IRFI744G

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFI744G

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

450

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

4.9

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

3.1

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.32

130

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

4.9

E_AR

4.0

Maximum Power Dissipation

_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

3.5

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 9.6 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 4.9 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 8.8 A, dI/dt ≤ 200 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91157

S-Pending-Rev. A, 23-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFI7536GPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IRFI820	INFINEON	获取价格	HEXFET POWER MOSFET
IRFI820-002	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFI820-002PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFI820-003	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFI820-004	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFI820-004PBF	INFINEON	获取价格	2.1A, 500V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRFI820-005PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFI820-006	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFI820-010	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

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