5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFI260
IRFI260 PDF预览

IRFI260

更新时间： 2024-10-27 22:24:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 111K
描述
TRANSISTOR N-CHANNEL(Vdss=200V, Rds(on)=0.060ohm, Id=45A*)

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRFI260 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.21Is Samacsys：N
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：45 A最大漏极电流 (ID)：45 A
最大漏源导通电阻：0.07 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-259AAJESD-30 代码：R-MSFM-P3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：METAL
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：300 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFI260 数据手册

 浏览型号IRFI260的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFI260的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFI260的Datasheet PDF文件第4页 
Previous Datasheet  
Index  
Next Data Sheet  
Provisional Data Sheet No. PD 9.809  
HEXFET® TRANSISTOR  
IRFI260  
N-CHANNEL  
Product Summary  
200Volt, 0.060Ω, HEXFET  
Part Number  
BVDSS  
RDS(on)  
ID  
HEXFET technology is the key to International  
Rectifier’s advanced line of power MOSFET transis-  
tors. The efficient geometry design achieves very  
low on-state resistance combined with high trans-  
conductance.  
IRFI260  
200V  
0.060Ω  
45A*  
Features:  
n
n
n
n
n
Hermetically Sealed  
Electrically Isolated  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Ceramic Eyelets  
HEXFET transistors also feature all of the well-es-  
tablished advantages of MOSFETs, such as voltage  
control, very fast switching, ease of paralleling and  
electrical parameter temperature stability. They are  
well-suited for applications such as switching power  
supplies, motor controls, inverters, choppers, audio  
amplifiers, high energy pulse circuits and virtually  
any application where high reliability is required.  
The HEXFET transistor’s totally isolated package  
eliminates the need for additional isolating material  
between the device and the heatsink. This improves  
thermal efficiency and reduces drain capacitance.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
= 10V, T = 25°C Continuous Drain Current  
C
IRFI260  
45*  
Units  
I
D
@ V  
GS  
A
I
@ V  
= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
29  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current   
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
180  
DM  
@ T = 25°C  
P
300  
W
W/K ꢀ  
V
D
C
2.4  
V
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ‚  
Avalanche Current   
700  
mJ  
AS  
I
45  
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy   
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction  
30  
mJ  
AR  
dv/dt  
4.3  
V/ns  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case for 10 sec.)  
10.9 (typical)  
* I current limited by pin diameter  
D
To Order  
 
 
1234

中文翻译

下载PDF

与IRFI260相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFI2807 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-220AB
IRFI3205 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.008ohm, Id=64A)
IRFI3205-002 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFI3205-003 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFI3205-003PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFI3205-004 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFI3205-004PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFI3205-005 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFI3205-006 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFI3205-009PBF INFINEON

获取价格

 		56A, 55V, 0.008ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

与IRFI260相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证