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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PDIP-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.36 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.1 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.1 A | 最大漏源导通电阻： | 0.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFD122R | RENESAS |
获取价格 |
1100mA, 100V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
|
| IRFD123 | HARRIS |
获取价格 |
1.3A and 1.1A, 80V and 100V, 0.30 and 0.40 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
|
| IRFD123 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFD123 | RENESAS |
获取价格 |
1100mA, 80V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
|
| IRFD123PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFD123R | RENESAS |
获取价格 |
1100mA, 80V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
|
| IRFD1Z0 | INTERSIL |
获取价格 |
0.4A and 0.5A, 60V and 100V, 2.4 and 3.2 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
|
| IRFD1Z0 | MOTOROLA |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFD1Z1 | INTERSIL |
获取价格 |
0.4A and 0.5A, 60V and 100V, 2.4 and 3.2 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
|
| IRFD1Z2 | INTERSIL |
获取价格 |
0.4A and 0.5A, 60V and 100V, 2.4 and 3.2 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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