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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 80 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1.3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFD122 | HARRIS |
获取价格 |
1.3A and 1.1A, 80V and 100V, 0.30 and 0.40 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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| IRFD122 | RENESAS |
获取价格 |
1100mA, 100V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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| IRFD122R | RENESAS |
获取价格 |
1100mA, 100V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
|
| IRFD123 | HARRIS |
获取价格 |
1.3A and 1.1A, 80V and 100V, 0.30 and 0.40 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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| IRFD123 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFD123 | RENESAS |
获取价格 |
1100mA, 80V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
|
| IRFD123PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFD123R | RENESAS |
获取价格 |
1100mA, 80V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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| IRFD1Z0 | INTERSIL |
获取价格 |
0.4A and 0.5A, 60V and 100V, 2.4 and 3.2 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
|
| IRFD1Z0 | MOTOROLA |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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