IRFB59N10

更新时间： 2024-02-08 06:05:24

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Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A)

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IRFB59N10 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	LEAD FREE PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.16	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	510 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	59 A	最大漏极电流 (ID)：	59 A
最大漏源导通电阻：	0.025 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	250	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	200 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	236 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFB59N10 数据手册

IRFB/IRFS/IRFSL59N10D

1000

100

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

TOP

100

BOTTOM 4.5V

5.0V

0.1

20µs PULSE WIDTH

T = 175 C

20µs PULSE WIDTH

T = 25 C

0.1

0.01

100

0.1

100

, Drain-to-Source Voltage (V)

Fig 2. Typical Output Characteristics

Fig 1. Typical Output Characteristics

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

1000

59A

100

T = 175 C

T = 25 C

= 50V

20µs PULSE WIDTH

= 10V

0.1

10 12

-60 -40 -20

20 40 60 80 100 120 140 160 180

, Gate-to-Source Voltage (V)

T , Junction Temperature ( C)

Fig 3. Typical Transfer Characteristics

Fig 4. Normalized On-Resistance

Vs. Temperature

www.irf.com

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