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IRF840BJ69Z

更新时间： 2024-02-08 20:01:20
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 911K
描述
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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IRF840BJ69Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SFM
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.19
雪崩能效等级（Eas）：320 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (ID)：8 A
最大漏源导通电阻：0.8 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：32 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF840BJ69Z 数据手册

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November 2001  
IRF840B/IRFS840B  
500V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switch mode power supplies,  
power factor correction and electronic lamp ballasts based  
on half bridge.  
•
•
•
•
•
•
8.0A, 500V, R  
= 0.8Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 41 nC)  
Low Crss ( typical 35 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
G
TO-220  
IRF Series  
TO-220F  
IRFS Series  
G
D S  
G D  
S
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
IRF840B  
Units  
V
IRFS840B  
V
I
Drain-Source Voltage  
500  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
8.0  
5.1  
32  
8.0  
5.1  
32  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
320  
8.0  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
13.4  
3.5  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
134  
44  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
1.08  
0.35  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
300  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
* Drain current limited by maximum junction temperature.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
IRF840B  
IRFS840B  
2.86  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case Max.  
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.  
0.93  
0.5  
θJC  
--  
θCS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient Max.  
62.5  
62.5  
θJA  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, November 2001  
1234567...10

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与IRF840BJ69Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF840D1 MOTOROLA

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 		8A, 500V, 0.85ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRF840F ETC

获取价格

 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS(188.09 k)
IRF840FI STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
IRF840FP SUNTAC

获取价格

 		POWER MOSFET
IRF840FPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IRF840FX INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IRF840FXPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IRF840HPBF VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRF840I A-POWER

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
IRF840L MOTOROLA

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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