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IRF624

更新时间： 2024-11-12 05:39:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 150K
描述
Power MOSFET

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IRF624 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.05
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.4 A最大漏极电流 (ID)：4.4 A
最大漏源导通电阻：1.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：50 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：14 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF624 数据手册

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IRF624, SiHF624  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
250  
Available  
• Repetitive Avalanche Rated  
• Fast Switching  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Max.) (nC)  
Qgs (nC)  
VGS = 10 V  
1.1  
RoHS*  
14  
2.7  
COMPLIANT  
• Ease of Paralleling  
• Simple Drive Requirements  
• Lead (Pb)-free Available  
Q
gd (nC)  
7.8  
Configuration  
Single  
D
DESCRIPTION  
TO-220  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
G
The TO-220 package is universally preferred for all  
commercial-industrial applications at power dissipation  
levels to approximately 50 W. The low thermal resistance  
and low package cost of the TO-220 contribute to its wide  
acceptance throughout the industry.  
S
D
S
N-Channel MOSFET  
G
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-220  
IRF624PbF  
SiHF624-E3  
IRF624  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHF624  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
250  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
V
VGS  
20  
T
C = 25 °C  
4.4  
Continuous Drain Current  
VGS at 10 V  
ID  
TC =100°C  
2.8  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
14  
Linear Derating Factor  
0.40  
100  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
4.4  
EAR  
5.0  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
T
C = 25 °C  
PD  
50  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
4.8  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to + 150  
300d  
10  
°C  
for 10 s  
6-32 or M3 screw  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 50 V, starting TJ = 25 °C, L = 8.3 mH, RG = 25 Ω, IAS = 4.4 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 4.4 A, dI/dt ≤ 90 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 150 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91029  
S-Pending-Rev. A, 19-Jun-08  
www.vishay.com  
1
WORK-IN-PROGRESS  
12345678

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与IRF624相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF624-001 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF624-001PBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF624-005PBF VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF624-011PBF VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF624-030 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF624A FAIRCHILD

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 		Advanced Power MOSFET
IRF624AJ69Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF624B FAIRCHILD

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 		250V N-Channel MOSFET
IRF624F INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
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