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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.61 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2.6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2.4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 6.5 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF612-003 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF612-003PBF | INFINEON |
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2.6A, 200V, 2.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRF612-004 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF612-004PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF612-005 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF612-005PBF | INFINEON |
获取价格 |
2.6A, 200V, 2.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRF612-006PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF612-009 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF612-009PBF | INFINEON |
获取价格 |
2.6A, 200V, 2.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRF612-010 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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