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IRF540

更新时间： 2024-01-29 10:34:41
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管开关脉冲局域网
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6页 55K
描述
N - CHANNEL100V - 00.50ohm - 30A - TO-220/TO-220FI POWER MOSFET

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IRF540 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：D2PAK
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.25
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：120 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：36 A
最大漏极电流 (ID)：36 A最大漏源导通电阻：0.0265 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：92 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：140 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

IRF540 数据手册

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IRF540  
IRF540FI  
N - CHANNEL100V - 00.50Ω - 30A - TO-220/TO-220FI  
POWER MOSFET  
TYPE  
IRF540  
IRF540FI  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
100 V  
100 V  
< 0.077 Ω  
< 0.077 Ω  
30 A  
16 A  
■
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.050 Ω  
AVALANCHERUGGED TECHNOLOGY  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
LOW GATE CHARGE  
HIGH CURRENT CAPABILITY  
175oC OPERATING TEMPERATURE  
APPLICATION ORIENTED  
3
3
2
2
1
1
CHARACTERIZATION  
TO-220  
TO-220FI  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
DC-DC & DC-AC CONVERTER  
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,  
ABS, AIR-BAG, LAMP DRIVERS Etc.)  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
IRF530  
IRF530FI  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
100  
100  
± 20  
V
V
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
V
30  
21  
120  
150  
1
17  
12  
A
ID  
A
IDM(• )  
Ptot  
120  
45  
A
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
W
W/oC  
V
oC  
oC  
Derating Factor  
0.3  
2000  
Viso  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
-
-65 to 175  
175  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
(1) ISD ≤30 Α, di/dt ≤ 200 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1/6  
April 1998  
123456

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IRF540 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTB6412ANT4G ONSEMI

功能相似

 N-Channel Power MOSFET 100 V, 58 A, 18.2 mΩ
NTB6411ANT4G ONSEMI

功能相似

 N-Channel Power MOSFET 100 V, 72 A, 14 mΩ

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